Cantitate/Preț
Produs

High-Resolution Electron Microscopy

Autor John C. H. Spence
en Limba Engleză Hardback – 12 sep 2013

Observăm că, în ciuda progreselor tehnologice rapide, literatura academică a dus lipsă de un volum care să integreze coerent corecția aberațiilor de ordin superior cu protocoalele practice de laborator pentru microscopia modernă. High-Resolution Electron Microscopy vine să completeze exact această lacună, oferind o sinteză între fundamentul teoretic al opticii electronice și cerințele experimentale actuale. Această a patra ediție, publicată de OUP OXFORD, păstrează rigoarea tratamentului împrăștierii multiple, dar introduce secțiuni vitale despre super-rezoluție, Ronchigrame și cuantificarea imaginii.

Remarcăm o extindere semnificativă a ariei de aplicabilitate, de la metalurgie la biologia structurală prin criomicroscopie electronică. Cititorii familiarizați cu Scanning Transmission Electron Microscopy de Stephen J. Pennycook vor aprecia aici abordarea complementară a lui John C. H. Spence, care insistă pe proceduri pas-cu-pas pentru obținerea imaginilor de rezoluție atomică. În comparație cu Electron Nano-ïmaging de Nobuo Tanaka, volumul de față oferă un context istoric și teoretic mai vast asupra opticii wave-aberration până la ordinul al cincilea.

Suntem de părere că această lucrare reprezintă punctul culminant al cercetării autorului, poziționându-se ca o continuare firească a volumului Advanced Transmission Electron Microscopy. Dacă în lucrările anterioare accentul cădea pe microdifracție, aici John C. H. Spence reușește să cuprindă întreg spectrul analitic, de la spectroscopia pierderii de energie la cathodoluminescență, menținând totodată o claritate didactică esențială pentru mediul universitar.

Citește tot Restrânge

Preț: 99977 lei

Preț vechi: 129840 lei
-23%

Puncte Express: 1500

Carte disponibilă

Livrare economică 02-16 mai


Specificații

ISBN-13: 9780199668632
ISBN-10: 0199668639
Pagini: 432
Ilustrații: 163 b/w illustrations, 4 colour plates
Dimensiuni: 177 x 246 x 28 mm
Greutate: 1.03 kg
Ediția:4th edition
Editura: OUP OXFORD
Colecția OUP Oxford
Locul publicării:Oxford, United Kingdom

De ce să citești această carte

Recomandăm acest volum cercetătorilor și studenților la fizică sau știința materialelor care au nevoie de un ghid tehnic definitiv pentru TEM și STEM. Cititorul câștigă acces la metodologii actualizate de corecție a aberațiilor și tehnici de super-rezoluție, fiind un instrument indispensabil pentru operarea microscoapelor moderne și interpretarea corectă a datelor la nivel atomic în nanotehnologie și semiconductori.


Despre autor

John C. H. Spence a fost o figură centrală în dezvoltarea microscopiei electronice, contribuind fundamental la tehnicile de imagistică atomică. Opera sa reflectă o tranziție de la studiul difracției electronice către aplicații complexe în fizica stării solide și biologie structurală. Pe lângă tratatele tehnice, a explorat istoria științei în lucrarea Lightspeed, demonstrând o capacitate rară de a comunica fenomene fizice complexe. Experiența sa academică este cristalizată în această a patra ediție, considerată un standard în domeniu.


Descriere

This new fourth edition of the standard text on atomic-resolution transmission electron microscopy (TEM) retains previous material on the fundamentals of electron optics and aberration correction, linear imaging theory (including wave aberrations to fifth order) with partial coherence, and multiple-scattering theory. Also preserved are updated earlier sections on practical methods, with detailed step-by-step accounts of the procedures needed to obtain the highest quality images of atoms and molecules using a modern TEM or STEM electron microscope. Applications sections have been updated - these include the semiconductor industry, superconductor research, solid state chemistry and nanoscience, and metallurgy, mineralogy, condensed matter physics, materials science and material on cryo-electron microscopy for structural biology. New or expanded sections have been added on electron holography, aberration correction, field-emission guns, imaging filters, super-resolution methods, Ptychography, Ronchigrams, tomography, image quantification and simulation, radiation damage, the measurement of electron-optical parameters, and detectors (CCD cameras, Image plates and direct-injection solid state detectors). The theory of Scanning transmission electron microscopy (STEM) and Z-contrast are treated comprehensively. Chapters are devoted to associated techniques, such as energy-loss spectroscopy, Alchemi, nanodiffraction, environmental TEM, twisty beams for magnetic imaging, and cathodoluminescence. Sources of software for image interpretation and electron-optical design are given.

Recenzii

... Essential reading for anyone interested in HREM and its applications in materials characterization. The fourth edition provides much needed updates on aberration correction and the latest developments in electron detection technology and analytical microscopic techniques.

Notă biografică

John C. H. Spence is Regents' Professor of Physics at Arizona State University with a joint appointment at Lawrence Berkeley Laboratory. He completed a PhD in Physics at Melbourne University in Australia, followed by postdoctoral work in Materials Science at Oxford University, UK. He is a Fellow of the American Physical Society, of the Institute of Physics, of the American Association for the Advancement of Science, and of Churchill College Cambridge, UK. He is a recent co-editor of Acta Crystallographica and served on the editorial board of Reports on Progress in Physics. He has served on the Scientific Advisory Committee of the Molecular Foundry and the Advanced Light Source at the Lawrence Berkeley Laboratory and the DOE's BESAC committee. He has been awarded the Burton Medal and the Distinguished Scientist Award of the Microscopy Society of America, and the Buerger Medal of the American Crystallographic Association.