Semiconductor Silicon: Materials Science and Technology: Springer Series in Materials Science, cartea 13
Editat de Günther Harbeke, Max J. Schulzen Limba Engleză Paperback – 16 dec 2011
Din seria Springer Series in Materials Science
- 18%
Preț: 1192.17 lei - 18%
Preț: 1778.82 lei - 18%
Preț: 746.03 lei - 18%
Preț: 940.45 lei - 18%
Preț: 916.64 lei - 18%
Preț: 867.34 lei - 18%
Preț: 916.64 lei - 18%
Preț: 1209.06 lei - 18%
Preț: 1172.94 lei - 18%
Preț: 1070.93 lei - 18%
Preț: 1335.19 lei -
Preț: 416.96 lei - 24%
Preț: 967.73 lei - 18%
Preț: 914.55 lei - 18%
Preț: 966.21 lei - 15%
Preț: 616.45 lei - 18%
Preț: 912.69 lei - 15%
Preț: 622.09 lei - 24%
Preț: 901.32 lei - 24%
Preț: 1188.37 lei - 18%
Preț: 940.15 lei - 18%
Preț: 1198.46 lei - 18%
Preț: 1188.59 lei - 18%
Preț: 904.53 lei - 18%
Preț: 1941.03 lei - 15%
Preț: 618.50 lei - 18%
Preț: 1211.92 lei - 18%
Preț: 931.83 lei - 15%
Preț: 618.30 lei - 18%
Preț: 1203.21 lei - 18%
Preț: 922.34 lei - 18%
Preț: 932.82 lei - 15%
Preț: 619.71 lei - 18%
Preț: 926.25 lei
Preț: 618.64 lei
Preț vechi: 727.80 lei
-15%
Puncte Express: 928
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 15-29 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783642747250
ISBN-10: 3642747256
Pagini: 360
Ilustrații: IX, 345 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 19 mm
Greutate: 0.5 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1989
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Series in Materials Science
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3642747256
Pagini: 360
Ilustrații: IX, 345 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 19 mm
Greutate: 0.5 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1989
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Springer Series in Materials Science
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
I Crystal Growth.- Czochralski Growth of Silicon.- Chemical and Physical Considerations in the Chemical Vapor Deposition Process.- Silicon Molecular Beam Epitaxy (Si-MBE).- II Processing.- Simulation of Silicon Processing.- Simulation of Laser-Assisted Doping of Silicon — The Temperature Distribution.- Ion Implantation.- Low Temperature Epitaxial Crystallization of Amorphous Si by Ion-Beam Irradiation.- On the Generation of Ripples on Silicon.- III Defects.- Theory of Defects in Crystalline Silicon.- Defects in CZ Silicon.- Tellurium Related Deep Traps in Silicon.- IV Characterization Methods.- High Resolution Electron Microscopy of Defects in Silicon.- Tunneling Microscopy and Surface Analysis.- Scanning Minority Carrier Transient Spectroscopy: A Method to Investigate the Lateral Distribution of Defects in Semiconductors.- Optical Characterization of Silicon Materials and Structures.- Oxygen-Free Silicon; How Does IR See It?.- V Insulating Films.- Characterization of the SiO2-Si Interface.- Advanced Silicon on Insulator Materials: Processing, Characterization and Devices.- VI Silicide Films.- Properties of Transition Metal Silicides.- State Density Gap in Ti-Silicide/p-Si/p+Si Schottky Barriers.- Morphology and Structure of Thin TiSi2 Films on Silicon.- Modelling Diffusion in Silicides.- VII Devices.- 4 Mbit Technology.- Technology and Reliability Problems of Trench Cell Capacitors.- Heavy Doping Effects and Their Influence on Silicon Bipolar Transistors.- Ionizing Radiation Effects in MOS Devices.- Crystalline Silicon Solar Cells.- Index of Contributors.