MOS-Feldeffekttransistoren: Halbleiter-Elektronik, cartea 21
Autor Reinhold Paulde Limba Germană Paperback – 4 feb 1994
Din seria Halbleiter-Elektronik
-
Preț: 466.98 lei -
Preț: 425.56 lei -
Preț: 355.72 lei -
Preț: 499.32 lei -
Preț: 425.10 lei -
Preț: 428.02 lei - 18%
Preț: 729.13 lei -
Preț: 490.39 lei - 15%
Preț: 499.82 lei -
Preț: 488.13 lei - 15%
Preț: 705.36 lei -
Preț: 359.94 lei -
Preț: 429.14 lei - 15%
Preț: 669.59 lei - 18%
Preț: 719.79 lei -
Preț: 425.56 lei - 15%
Preț: 531.31 lei -
Preț: 348.48 lei -
Preț: 338.94 lei -
Preț: 487.89 lei -
Preț: 486.65 lei -
Preț: 484.66 lei
Preț: 467.00 lei
Puncte Express: 701
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 08-22 august
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783540558675
ISBN-10: 3540558675
Pagini: 448
Ilustrații: X, 435 S. 3 Abb.
Dimensiuni: 155 x 235 x 25 mm
Greutate: 0.67 kg
Editura: Springer
Colecția Halbleiter-Elektronik
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3540558675
Pagini: 448
Ilustrații: X, 435 S. 3 Abb.
Dimensiuni: 155 x 235 x 25 mm
Greutate: 0.67 kg
Editura: Springer
Colecția Halbleiter-Elektronik
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
V-ar putea interesa
-
The Verilog® Hardware Description LanguageDonald Thomas-15%Preț: 506.44 lei595.81 lei -
Spintronics for Next Generation Innovative DevicesKatsuaki Sato-9%Preț: 1072.38 lei1178.44 lei -
Printed ElectronicsZheng Cui-9%Preț: 924.47 lei1015.91 lei -
-27%Preț: 848.45 lei1162.26 lei -
Modeling of Photovoltaic Systems Using MATLABTamer Khatib-9%Preț: 714.02 lei784.64 lei -
Make: More ElectronicsCharles PlattPreț: 218.38 lei -
Geometric Methods and ApplicationsJean Gallier-15%Preț: 526.26 lei619.14 lei -
-9%Preț: 989.81 lei1087.70 lei -
Digital Electronics 1Tertulien Ndjountche-9%Preț: 966.21 lei1061.77 lei -
Model Predictive ControlEduardo F. Camacho-15%Preț: 497.15 lei584.88 lei -
Mechatronic SystemsRolf Isermann-15%Preț: 582.71 lei685.54 lei -
Lateral Power Transistors in Integrated CircuitsTobias Erlbacher-15%Preț: 622.16 lei731.95 lei -
High-Efficiency Solar CellsXiaodong Wang-18%Preț: 1206.58 lei1471.44 lei -
Preț: 381.55 lei -
Automotive Mechatronics: Operational and Practical IssuesB. T. Fijalkowski-18%Preț: 1194.66 lei1456.91 lei
Public țintă
ResearchCuprins
1. Der MOS-Feldeffektransistor, das wichtigste Bauelement innerhalb der Familie der Feldeffekttransistoren.- 2. Der MOS-Transistor als Funktionselement. Grundlagen, Wirkprinzip und Kennlinienmodell.- 2.1 Der MOS-Zweipol.- 2.2 Der MOS-Transitor. Grundlegende Kennlinieneigenschaften.- 2.3 Verbesserte Modellierung.- 2.4 Der MOSFET bei abnehmenden Geometrien. Kurzkanal- und Schmalkanaleffekte. Submikrometertransistor.- 3. Der MOSFET im dynamischen Betrieb.- 3.1 Kleinsignal verhalten für tiefe Frequenzen.- 3.2 Signalverhalten im quasistationären Betrieb.- 3.3 Dynamisches Verhalten.- 3.4 MOSFET-Modelle für den Schaltungsentwurf.- 3.5 Schalt- und Impulsverhalten.- 4. Bauformen des MOSFET.- 4.1 Der MOSFET in integrierten Schaltungen.- 4.2 Speicherfeldeffekttransistoren.- 4.3 MOS-Leistungsbauelemente.- 4.4 Temperaturverhalten.