GaAs-Feldeffekttransistoren: Halbleiter-Elektronik, cartea 16
Autor Walter Kellner, Hermann Kniepkampde Limba Germană Paperback – 12 dec 1988
Din seria Halbleiter-Elektronik
-
Preț: 466.98 lei -
Preț: 406.44 lei -
Preț: 339.67 lei -
Preț: 476.69 lei -
Preț: 406.04 lei -
Preț: 408.65 lei - 18%
Preț: 697.67 lei - 15%
Preț: 478.03 lei -
Preț: 466.70 lei - 15%
Preț: 674.47 lei -
Preț: 343.53 lei -
Preț: 409.58 lei -
Preț: 449.39 lei - 15%
Preț: 669.59 lei - 18%
Preț: 719.79 lei -
Preț: 406.44 lei - 15%
Preț: 507.99 lei -
Preț: 333.39 lei -
Preț: 338.94 lei -
Preț: 466.54 lei -
Preț: 465.45 lei -
Preț: 463.56 lei
Preț: 468.74 lei
Puncte Express: 703
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 08-22 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783540501930
ISBN-10: 3540501932
Pagini: 288
Ilustrații: 283 S.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.41 kg
Ediția:2., überarb. und erw. Aufl.
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3540501932
Pagini: 288
Ilustrații: 283 S.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.41 kg
Ediția:2., überarb. und erw. Aufl.
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.2 Rauschen.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.