Integrierte MOS-Schaltungen: Halbleiter-Elektronik, cartea 14

1 Einleitung.- Literatur zu 1.- 2 MOS-Bauelemente.- 2.1 Arten von MOS-Transistoren.- 2.2 MOS-Kondensator.- 2.3 Kapazität des MOS-Kondensators.- 2.4 Kennlinien des MOS-Transistors.- 2.5 Verfeinerte Theorie.- 2.6 Dynamisches Verhalten.- 2.7 Ladungsverschiebeelemente (CCD).- 2.8 Transistoren mit veränderlicher Schwellenspannung.- 2.9 Rauschen des MOS-Transistors.- 2.10 Temperaturverhalten des MOS-Transistors.- Literatur zu 2.- 3 MOS-Techniken.- 3.1 Aluminium-Gate-Technik mit p-Kanal.- 3.2 Silizium-Gate-Technik mit n-Kanal.- 3.3 Komplementäre Techniken.- 3.4 Ionenimplantation.- 3.5 DMOS- und VMOS-Technik.- 3.6 Herstellung der Masken.- 3.7 Feine Strukturen.- Literatur zu 3.- 4 MOS-Grundschaltungen.- 4. 1 Der Inverter in statischer Technik.- 4.2 Der Inverter in dynamischer Technik.- 4.3 Bistabile MOS-Schaltungen.- 4.4 MOS-Logik in statischer Technik.- 4.5 MOS-Logik in dynamischer Technik.- 4.6 MOS-Schieberegister.- 4.7 Speicherschaltungen.- 4.8 MOS-Analogschaltungen.- Literatur zu 4.- 5 Entwurfstechnik für integrierte MOS-Schaltungen.- 5.1 Rechnerunterstützte Analyseverfahren und -programme.- 5.2 Entwurfsunterlagen.- 5.3 Geometrischer Entwurf (Layout).- 5.4 Datenaufnahme.- Literatur zu 5.- 6 Schaltungsarten.- 6.1 Festverdrahtete Schaltungen.- 6.2 Programmierbare Schaltungen.- 6.3 Programmgesteuerte Schaltungen.- 6.4 Entwicklungsablauf bei den verschiedenen Schaltungsarten.- 6.5 Die Bedeutung der Software.- 6.6 Abgrenzung der Lösungswege.- 6.7 Entwicklungstrends.- 6.8 Ausbeute und Redundanz.- 6.9 Prüffreundlicher Entwurf.- 6.10 Analyse integrierter Schaltkreise mit dem Elektronenstrahl.- Literatur zu 6.- 7 Ausblick.- Literatur zu 7.