Halbleiterprobleme: In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955: Advances in Solid State Physics, cartea HP3
Editat de W. Schottkyde Limba Germană Paperback – 23 aug 2014
| Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
|---|---|---|
| Paperback (2) | 343.53 lei 6-8 săpt. | |
| Springer Berlin, Heidelberg – 23 aug 2014 | 343.53 lei 6-8 săpt. | |
| Springer Berlin, Heidelberg – 18 apr 2014 | 426.15 lei 6-8 săpt. |
Preț: 343.53 lei
Puncte Express: 515
Preț estimativ în valută:
60.82€ • 70.82$ • 52.83£
60.82€ • 70.82$ • 52.83£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 23 februarie-09 martie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783662161111
ISBN-10: 3662161117
Pagini: 292
Ilustrații: VII, 280 S.
Dimensiuni: 170 x 244 x 15 mm
Greutate: 0.47 kg
Ediția:1956
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Advances in Solid State Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3662161117
Pagini: 292
Ilustrații: VII, 280 S.
Dimensiuni: 170 x 244 x 15 mm
Greutate: 0.47 kg
Ediția:1956
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Advances in Solid State Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.