Festkörperprobleme: Advances in Solid State Physics, cartea 29
Editat de U. Rosslerde Limba Germană Paperback – 18 apr 2014
Preț: 485.27 lei
Preț vechi: 570.91 lei
-15%
Puncte Express: 728
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 13-27 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783662160688
ISBN-10: 3662160684
Pagini: 356
Ilustrații: VII, 345 S. 270 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 19 mm
Greutate: 0.57 kg
Ediția:1989
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Advances in Solid State Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3662160684
Pagini: 356
Ilustrații: VII, 345 S. 270 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 19 mm
Greutate: 0.57 kg
Ediția:1989
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Advances in Solid State Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
Charge transfer between weakly coupled normal metals and superconductors at low temperatures.- Quantum effects and the onset of superconductivity in granular films.- Pattern formation in a liquid crystal.- X-ray absorption and reflection in materials sciences.- Propagation of large-wavevector acoustic phonons new perspectives from phonon imaging.- Theory of dynamical surface states and reconstructions at crystal surfaces.- Scanning tunneling microscopy and spectroscopy on clean and metal-covered Si surfaces.- Optical dephasing and orientational relaxation of wannier-excitons and free carriers in GaAs and GaAs/AlxGa1?xAs quantum wells.- The spectroscopic evidence for the identity of EL2 and the AsGa antisite in As-grown GaAs.- On the charge state of the EL2 mid gap level semi-insulating GaAs from a quantitative analysis of the compensation.- Deep donor levels (DX centers) in III–V semiconductors: Recent experimental results.- Chemical binding, stability and metastability of defects in semiconductors.- A new look at the reliability of thin film metallizations for microelectronic devices.- Quantum dot resonant tunneling spectroscopy.- DC and far infrared experiments on deep mesa etched single and multi-layered quantum wires.- Coherent electron focusing.- The size-induced metal-insulator transition and related electron interference phenomena in modern microelectronics.