Crystal Growth: Theory and Techniques Volume 1
Autor C. H. L. Goodmanen Limba Engleză Paperback – 25 oct 2012
Preț: 669.90 lei
Preț vechi: 788.11 lei
-15%
Puncte Express: 1005
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 14-28 septembrie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9781475712742
ISBN-10: 147571274X
Pagini: 312
Ilustrații: IX, 300 p. 155 illus.
Dimensiuni: 152 x 229 x 16 mm
Greutate: 0.42 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1974
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 147571274X
Pagini: 312
Ilustrații: IX, 300 p. 155 illus.
Dimensiuni: 152 x 229 x 16 mm
Greutate: 0.42 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1974
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
1 Mechanisms in Vapour Epitaxy of Semiconductors.- 2 Principles of the Vapour Growth of Single Crystals.- 3 Travelling Solvent Techniques.- 4 Refractory Metal Crystal Growth Techniques.- Materials Index.