Rapid Thermal Processing of Semiconductors: Microdevices
Autor Victor E. Borisenko, Peter J. Heskethen Limba Engleză Paperback – 20 iun 2013
| Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
|---|---|---|
| Paperback (1) | 1330.32 lei 6-8 săpt. | |
| Springer Us – 20 iun 2013 | 1330.32 lei 6-8 săpt. | |
| Hardback (1) | 1341.56 lei 6-8 săpt. | |
| Springer Us – 31 mai 1997 | 1341.56 lei 6-8 săpt. |
Din seria Microdevices
- 18%
Preț: 914.96 lei - 18%
Preț: 916.33 lei - 18%
Preț: 1202.19 lei - 18%
Preț: 921.17 lei - 18%
Preț: 1341.56 lei - 20%
Preț: 619.46 lei - 18%
Preț: 1193.86 lei - 18%
Preț: 1192.03 lei - 18%
Preț: 928.63 lei - 18%
Preț: 918.00 lei -
Preț: 385.99 lei - 15%
Preț: 663.59 lei - 15%
Preț: 626.52 lei - 18%
Preț: 1080.27 lei -
Preț: 380.24 lei - 18%
Preț: 943.47 lei - 18%
Preț: 929.06 lei - 18%
Preț: 917.87 lei
Preț: 1330.32 lei
Preț vechi: 1622.34 lei
-18% Nou
Puncte Express: 1995
Preț estimativ în valută:
235.37€ • 274.21$ • 205.54£
235.37€ • 274.21$ • 205.54£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 20 ianuarie-03 februarie 26
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9781489918062
ISBN-10: 148991806X
Pagini: 384
Ilustrații: XXII, 358 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 20 mm
Greutate: 0.54 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1997
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Microdevices
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 148991806X
Pagini: 384
Ilustrații: XXII, 358 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 20 mm
Greutate: 0.54 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1997
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Microdevices
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
1. Transient Heating of Semiconductors by Radiation.- 2. Recrystallization of Implanted Layers and Impurity Behavior in Silicon Crystals.- 3. Crystallization, Impurity Diffusion, and Segregation in Polycrystalline Silicon.- 4. Component Evaporation, Defect Annealing, and Impurity Diffusion in the III–V Semiconductors.- 5. Diffusion Synthesis of Silicides in Thin-Film Metal—Silicon Structures.- 6. Rapid Thermal Oxidation and Nitridation.- 7. Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition.- References.