Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits: NATO Science Series E:, cartea 62
Editat de P. Antognetti, D.A. Antoniadis, Robert W. Dutton, W.G. Oldhamen Limba Engleză Paperback – 9 oct 2011
Din seria NATO Science Series E:
- 24%
Preț: 1712.87 lei - 15%
Preț: 568.69 lei - 15%
Preț: 572.94 lei - 15%
Preț: 571.73 lei - 15%
Preț: 578.92 lei - 15%
Preț: 578.70 lei - 15%
Preț: 566.67 lei - 15%
Preț: 578.42 lei - 15%
Preț: 583.95 lei -
Preț: 382.65 lei -
Preț: 372.15 lei - 20%
Preț: 333.06 lei -
Preț: 408.17 lei - 18%
Preț: 1176.56 lei - 18%
Preț: 1764.96 lei - 18%
Preț: 1181.44 lei -
Preț: 366.56 lei -
Preț: 393.75 lei - 18%
Preț: 1769.50 lei - 5%
Preț: 353.34 lei -
Preț: 391.71 lei - 18%
Preț: 1766.62 lei -
Preț: 404.30 lei -
Preț: 384.13 lei -
Preț: 383.59 lei - 18%
Preț: 2907.74 lei -
Preț: 374.14 lei - 5%
Preț: 376.18 lei - 18%
Preț: 1180.81 lei - 18%
Preț: 1181.87 lei - 18%
Preț: 1186.41 lei - 5%
Preț: 3393.87 lei - 18%
Preț: 1768.29 lei - 5%
Preț: 364.41 lei - 18%
Preț: 1180.06 lei -
Preț: 377.84 lei -
Preț: 380.62 lei - 18%
Preț: 2392.01 lei - 5%
Preț: 1373.66 lei -
Preț: 380.99 lei - 5%
Preț: 2058.97 lei
Preț: 392.27 lei
Nou
Puncte Express: 588
Preț estimativ în valută:
69.40€ • 81.59$ • 60.79£
69.40€ • 81.59$ • 60.79£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 28 ianuarie-11 februarie 26
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9789400968448
ISBN-10: 9400968442
Pagini: 636
Ilustrații: 636 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 33 mm
Greutate: 0.88 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9400968442
Pagini: 636
Ilustrații: 636 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 33 mm
Greutate: 0.88 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
Diffusion in Silicon.- Thermal Oxidation: Kinetics, Charges, Physical Models, and Interaction with Other Processes in VLSI Devices.- The Use of Chlorinated Oxides and Intrinsic Gettering Techniques for VLSI Processing.- Ion Implantation.- Beam Annealing of Ion Implanted Silicon.- Materials Characterization.- Modeling of Polycrystalline Silicon Structures for Integrated Circuit Fabrication Processes.- Two-Dimensional Process Simulation — Supra.- Numerical Simulation of Impurity Redistribution Near Mask Edges.- Optical and Deep UV Lithography.- Wafer Topography Simulation.- Analyses of Nonplanar Devices.- Two Dimensional MOS-Transistor Modeling.- Fielday — Finite Element Device Analyses.
Recenzii
`...this book is an extremely valuable collection on the crucial issues in numerical modeling of VLSI fabrication processes and devices, which will be useful to a large number of readers with diverse backgrounds.' American Scientist, 73 (1983)