Process and Device Modeling for Integrated Circuit Design: NATO Science Series E:, cartea 21
Editat de F. van de Wiele, W.L. Engl, P. Jespersen Limba Engleză Paperback – 11 mar 2012
Din seria NATO Science Series E:
- 24%
Preț: 1712.87 lei - 15%
Preț: 568.69 lei - 15%
Preț: 572.94 lei - 15%
Preț: 571.73 lei - 15%
Preț: 578.92 lei - 15%
Preț: 578.70 lei - 15%
Preț: 566.67 lei - 15%
Preț: 578.42 lei - 15%
Preț: 583.95 lei -
Preț: 382.65 lei -
Preț: 372.15 lei - 20%
Preț: 333.06 lei -
Preț: 408.17 lei - 18%
Preț: 1176.56 lei - 18%
Preț: 1764.96 lei - 18%
Preț: 1181.44 lei -
Preț: 366.56 lei -
Preț: 393.75 lei - 18%
Preț: 1769.50 lei - 5%
Preț: 353.34 lei -
Preț: 391.71 lei - 18%
Preț: 1766.62 lei -
Preț: 404.30 lei -
Preț: 384.13 lei -
Preț: 383.59 lei - 18%
Preț: 2907.74 lei -
Preț: 374.14 lei - 5%
Preț: 376.18 lei - 18%
Preț: 1180.81 lei - 18%
Preț: 1181.87 lei - 18%
Preț: 1186.41 lei - 5%
Preț: 3393.87 lei - 18%
Preț: 1768.29 lei - 5%
Preț: 364.41 lei - 18%
Preț: 1180.06 lei -
Preț: 377.84 lei -
Preț: 380.62 lei - 18%
Preț: 2392.01 lei - 5%
Preț: 1373.66 lei -
Preț: 380.99 lei - 5%
Preț: 2058.97 lei
Preț: 405.61 lei
Nou
Puncte Express: 608
Preț estimativ în valută:
71.77€ • 84.28$ • 62.100£
71.77€ • 84.28$ • 62.100£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 28 ianuarie-11 februarie 26
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9789401175852
ISBN-10: 9401175853
Pagini: 880
Ilustrații: 876 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 46 mm
Greutate: 1.21 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1977
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9401175853
Pagini: 880
Ilustrații: 876 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 46 mm
Greutate: 1.21 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1977
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
Section I. Introduction..- Device modeling.- Semiconductor physics and characterization of bipolar transistors.- Section II Basic technologies and measurements.- Diffusion phenomena in silicon.- Silicon epitaxy and oxidation.- Ion implantation.- Pattern generation for integrated circuit fabrication.- Test structures and diagnostic techniques.- Defect characterization.- Measurement techniques.- Fundamental limits in integrated circuits.- Section III Modeling of bipolar devices.- Review of models for bipolar transistors.- Measurements for bipolar devices.- Bipolar transistor model for IC design.- Modeling of bipolar devices.- High current density effects in the collector of bipolar transistors.- Emitter effects in bipolar transistors.- Bipolar models for statistical IC design.- Survey of I2L modeling.- Section IV Modeling of MOS devices.- Review of physical models for MOS transistors.- Characterization and measurements of MOST devices.- Surface characterization. C-V technique.- Surface characterization. Weak inversion.- Ion implanted MOS transistors.- Ion implanted MOS transistors. Depletion mode devices.- Physical MOS models.- Short channels. Scaled down MOSFET’s.- SOS MOSFET’s.- A MOST model for CAD with automated parameter determination.- CAD models of MOSFET’s.- Section V Process modeling.- Process modeling.- Process modeling.- Process oriented IC design.- Modeling of I2L and process selection.- Simulation of integrated circuits fabrication processes.- Participants.- Lecturers.- Scientific organizing committee.