Process and Device Modeling for Integrated Circuit Design: NATO Science Series E:, cartea 21
Editat de F. van de Wiele, P. Jespers, W. L. Englen Limba Engleză Paperback – 11 mar 2012
Din seria NATO Science Series E:
-
Preț: 374.84 lei -
Preț: 386.34 lei - 20%
Preț: 333.06 lei -
Preț: 408.17 lei - 18%
Preț: 1176.56 lei - 18%
Preț: 1764.96 lei - 18%
Preț: 1181.44 lei -
Preț: 368.86 lei -
Preț: 393.75 lei - 18%
Preț: 1769.50 lei - 5%
Preț: 355.87 lei -
Preț: 391.71 lei - 18%
Preț: 1766.62 lei -
Preț: 412.56 lei -
Preț: 388.01 lei -
Preț: 387.28 lei - 18%
Preț: 2920.23 lei -
Preț: 377.01 lei - 5%
Preț: 376.18 lei - 18%
Preț: 1186.30 lei - 18%
Preț: 1186.68 lei - 18%
Preț: 1186.41 lei - 5%
Preț: 3393.87 lei - 18%
Preț: 1768.29 lei - 5%
Preț: 367.92 lei - 18%
Preț: 1180.06 lei -
Preț: 382.33 lei -
Preț: 384.16 lei - 18%
Preț: 2392.01 lei - 5%
Preț: 1379.35 lei -
Preț: 384.40 lei - 5%
Preț: 2058.97 lei - 18%
Preț: 1772.54 lei -
Preț: 388.20 lei -
Preț: 398.39 lei -
Preț: 402.06 lei - 20%
Preț: 331.65 lei - 18%
Preț: 913.16 lei - 18%
Preț: 1182.47 lei - 24%
Preț: 1177.03 lei - 20%
Preț: 1838.25 lei - 18%
Preț: 1186.11 lei
Preț: 411.17 lei
Puncte Express: 617
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 14-28 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9789401175852
ISBN-10: 9401175853
Pagini: 880
Ilustrații: 876 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 47 mm
Greutate: 1.31 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st edition 1977
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția NATO Science Series E:
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9401175853
Pagini: 880
Ilustrații: 876 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 47 mm
Greutate: 1.31 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st edition 1977
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția NATO Science Series E:
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
Section I. Introduction..- Device modeling.- Semiconductor physics and characterization of bipolar transistors.- Section II Basic technologies and measurements.- Diffusion phenomena in silicon.- Silicon epitaxy and oxidation.- Ion implantation.- Pattern generation for integrated circuit fabrication.- Test structures and diagnostic techniques.- Defect characterization.- Measurement techniques.- Fundamental limits in integrated circuits.- Section III Modeling of bipolar devices.- Review of models for bipolar transistors.- Measurements for bipolar devices.- Bipolar transistor model for IC design.- Modeling of bipolar devices.- High current density effects in the collector of bipolar transistors.- Emitter effects in bipolar transistors.- Bipolar models for statistical IC design.- Survey of I2L modeling.- Section IV Modeling of MOS devices.- Review of physical models for MOS transistors.- Characterization and measurements of MOST devices.- Surface characterization. C-V technique.- Surface characterization. Weak inversion.- Ion implanted MOS transistors.- Ion implanted MOS transistors. Depletion mode devices.- Physical MOS models.- Short channels. Scaled down MOSFET’s.- SOS MOSFET’s.- A MOST model for CAD with automated parameter determination.- CAD models of MOSFET’s.- Section V Process modeling.- Process modeling.- Process modeling.- Process oriented IC design.- Modeling of I2L and process selection.- Simulation of integrated circuits fabrication processes.- Participants.- Lecturers.- Scientific organizing committee.