Cantitate/Preț
Produs
Total produse
Vezi coșul
GaN Transistors for Efficient Power Conversion de Alex Lidow

GaN Transistors for Efficient Power Conversion

Autor Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, David Reusch
en Limba Engleză Hardback – 28 aug 2014

Ecosistemul semiconductoarelor de putere traversează o schimbare de paradigmă, unde nitrura de galiu (GaN) înlocuiește progresiv tehnologia tradițională bazată pe siliciu. În GaN Transistors for Efficient Power Conversion, autorii Alex Lidow și David Reusch oferă o documentație tehnică riguroasă despre modul în care aceste dispozitive redefinesc limitele de conductivitate și viteză de comutare. Putem afirma că volumul nu se limitează la o expunere teoretică, ci se concentrează pe arhitecturi de control și drivere de poartă necesare pentru a gestiona pierderile minime de putere.

Ne-a atras atenția modul în care ediția a doua extinde analiza asupra interacțiunilor dintre dispozitiv și circuit, un aspect critic având în vedere că tranzistoarele GaN nu sunt înlocuitori direcți (pin-to-pin) pentru MOSFET-uri. Ca și Gaudenzio Meneghesso în Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion, autorii distilează experiență reală în principii acționabile, punând accent pe paraziții de circuit și optimizarea layout-ului PCB pentru a atinge frecvențe de lucru superioare. Merită menționat că textul explorează aplicații emergente, cum ar fi transferul de energie wireless și sistemele de monitorizare a anvelopei, unde densitatea de putere și dimensiunile reduse sunt fundamentale.

Structura narativă a cărții urmează o logică inginerească: de la fizica fundamentală a dispozitivelor GaN, la considerente de proiectare termică și mecanică, culminând cu studii de caz pe convertoare DC-DC. Tonul este strict tehnic, susținut de numeroase figuri și tabele alb-negru care facilitează înțelegerea compromisurilor de proiectare. Este o resursă esențială pentru inginerii de sistem care urmăresc reducerea costurilor și a gabaritului echipamentelor electronice moderne prin adoptarea tehnologiilor de bandă largă (WBG).

Citește tot Restrânge

Preț: 73473 lei

Preț vechi: 95420 lei
-23%

Puncte Express: 1102

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 23-29 iunie

 Adaugă în coș

Wish list
Gift list
Am citit!
Adaugă în listă

Specificații

ISBN-13: 9781118844762
ISBN-10: 1118844769
Pagini: 266
Ilustrații: black & white illustrations, black & white tables, figures
Dimensiuni: 179 x 256 x 21 mm
Greutate: 0.64 kg
Ediția:2nd Edition
Editura: Wiley
Locul publicării:Chichester, United Kingdom

Public țintă

Primary:Power conversion systems designers and circuit design engineers needing to learn quickly about the new devices; R&D in the semiconductor industry; device end–users; other practicing engineers and researchers specific to GaN power devices.Secondary:Senior undergraduate and graduate students in electrical engineering.

De ce să citești această carte

Această carte este indispensabilă inginerilor de design care doresc să facă tranziția de la siliciu la GaN. Cititorul câștigă o înțelegere profundă a tehnicilor de layout necesare pentru a evita oscilațiile la frecvențe înalte și a maximiza eficiența în convertoarele de putere. Este un ghid practic, scris de lideri din industrie, care oferă soluții concrete pentru sisteme mai mici, mai ușoare și mai performante.

Descriere

Gallium nitride (GaN) is an emerging technology that promises to displace silicon MOSFETs in the next generation of power transistors. As silicon approaches its performance limits, GaN devices offer superior conductivity and switching characteristics, allowing designers to greatly reduce system power losses, size, weight, and cost. This timely second edition has been substantially expanded to keep students and practicing power conversion engineers ahead of the learning curve in GaN technology advancements. Acknowledging that GaN transistors are not one-to-one replacements for the current MOSFET technology, this book serves as a practical guide for understanding basic GaN transistor construction, characteristics, and applications. Included are discussions on the fundamental physics of these power semiconductors, layout and other circuit design considerations, as well as specific application examples demonstrating design techniques when employing GaN devices. With higher-frequency switching capabilities, GaN devices offer the chance to increase efficiency in existing applications such as DC–DC conversion, while opening possibilities for new applications including wireless power transfer and envelope tracking. This book is an essential learning tool and reference guide to enable power conversion engineers to design energy-efficient, smaller and more cost-effective products using GaN transistors. Key features: Written by leaders in the power semiconductor field and industry pioneers in GaN power transistor technology and applications. Contains useful discussions on device–circuit interactions, which are highly valuable since the new and high performance GaN power transistors require thoughtfully designed drive/control circuits in order to fully achieve their performance potential. Features practical guidance on formulating specific circuit designs when constructing power conversion systems using GaN transistors – see companion website for further details. A valuable learning resource for professional engineers and systems designers needing to fully understand new devices as well as electrical engineering students.