GaAs Devices and Circuits: Microdevices
Autor Michael S. Shuren Limba Engleză Paperback – 14 iun 2013
| Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
|---|---|---|
| Paperback (1) | 1187.19 lei 43-57 zile | |
| Springer Us – 14 iun 2013 | 1187.19 lei 43-57 zile | |
| Hardback (1) | 1202.19 lei 43-57 zile | |
| Springer Us – 31 aug 1987 | 1202.19 lei 43-57 zile |
Din seria Microdevices
- 18%
Preț: 914.96 lei - 18%
Preț: 916.33 lei - 18%
Preț: 1202.19 lei - 18%
Preț: 921.17 lei - 18%
Preț: 1341.56 lei - 20%
Preț: 619.46 lei - 18%
Preț: 1193.86 lei - 18%
Preț: 1192.03 lei - 18%
Preț: 928.63 lei - 18%
Preț: 918.00 lei -
Preț: 385.99 lei - 15%
Preț: 663.59 lei - 15%
Preț: 626.52 lei - 18%
Preț: 1080.27 lei -
Preț: 380.24 lei - 18%
Preț: 943.47 lei - 18%
Preț: 929.06 lei - 18%
Preț: 917.87 lei
Preț: 1187.19 lei
Preț vechi: 1447.80 lei
-18% Nou
Puncte Express: 1781
Preț estimativ în valută:
210.11€ • 246.40$ • 184.22£
210.11€ • 246.40$ • 184.22£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 26 ianuarie-09 februarie 26
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9781489919915
ISBN-10: 1489919910
Pagini: 688
Ilustrații: XIV, 670 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 36 mm
Greutate: 0.95 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1987
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Microdevices
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 1489919910
Pagini: 688
Ilustrații: XIV, 670 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 36 mm
Greutate: 0.95 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1987
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Microdevices
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
1. Chemical Bonds and Crystal Structure.- 2. Band Structure and Transport Properties.- 3. GaAs Technology.- 4. Ridley-Watkins-Hilsum-Gunn Effect.- 5. Transferred Electron Oscillators.- 6. Transferred Electron Amplifiers and Logic and Functional Devices.- 7. GaAs FETs: Device Physics and Modeling.- 8. GaAs FET Amplifiers and Microwave Monolithic Integrated Circuits.- 9. GaAs Digital Integrated Circuits.- 10. Modulation Doped Field Effect Transistors.- 11. Novel GaAs Devices.- New developments and Recent References.- Appendixes.- A. Some Room-Temperature (300K) Properties of GaAs.- B. Microwave Bands.