Cantitate/Preț
Produs

ESD

Autor Steven H. Voldman
en Limba Engleză Hardback – 17 iul 2009

Metodologia abordată în această lucrare pune accent pe integrarea protecției împotriva descărcărilor electrostatice încă din faza de proiectare a arhitecturii schematice și a layout-ului circuitelor analogice. Ne-a atras atenția modul în care Steven H Voldman reușește să echilibreze cerințele stricte de performanță ale circuitelor de putere cu necesitatea unor structuri de protecție robuste. Suntem de părere că tranziția de la conceptele fundamentale de layout MOSFET, prezentate în primele capitole, către sinteza complexă a semnalelor mixte analog-digitale oferă o progresie logică, esențială pentru înțelegerea integrității semnalului în medii industriale. Spre deosebire de abordările care tratează ESD ca pe un element periferic, acest volum fundamentează o disciplină de sine stătătoare pentru designul analogic. Ca și Oleg Semenov în Esd Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, autorul distilează experiență reală în principii acționabile, însă Voldman extinde spectrul tehnologic către zone specifice precum BCD și SOI. Structura tehnică este riguroasă: primele secțiuni se concentrează pe amplificatoare cu tranzistori și sarcini active, în timp ce partea a doua rezolvă provocările specifice pinilor de semnal și clemelor de putere (power clamps). În contextul operei sale, Esd completează viziunea sistemică începută în Esd Testing, mutând focusul de la validare la prevenție prin design. Dacă în Latchup autorul analiza mecanismele de eșec parazit, aici oferă soluții constructive pentru circuitele RF și analogice, unde liniaritatea și factorul de calitate sunt critice. Volumul include metodologii avansate de testare, precum TDR, asigurând un suport tehnic complet pentru inginerii care proiectează circuite integrate moderne.

Citește tot Restrânge

Preț: 100596 lei

Preț vechi: 110545 lei
-9%

Puncte Express: 1509

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 17-31 august

Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.

Specificații

ISBN-13: 9780470511374
ISBN-10: 0470511370
Pagini: 410
Dimensiuni: 177 x 252 x 27 mm
Greutate: 0.82 kg
Editura: Wiley
Locul publicării:Chichester, United Kingdom

Public țintă

Engineers and technicians,researchers and graduate students

De ce să citești această carte

Această lucrare este indispensabilă inginerilor de design analogic care trebuie să implementeze soluții de protecție ESD fără a compromite performanța circuitului. Cititorul câștigă o înțelegere profundă a interacțiunii dintre layout și fiabilitate, primind instrumente practice pentru tehnologii variate (CMOS, SOI, LDMOS). Este un ghid tehnic ce transformă teoria fizicii descărcărilor în reguli de design aplicabile imediat în fluxul de producție al circuitelor integrate.


Despre autor

Steven H. Voldman este un expert recunoscut la nivel mondial în domeniul protecției împotriva descărcărilor electrostatice (ESD) și al fiabilității semiconductorilor. Cu o carieră marcată de numeroase brevete și publicații tehnice, el a contribuit semnificativ la standardizarea procedurilor de testare și design în cadrul industriei microelectronice. Lucrările sale, publicate frecvent de Wiley, sunt considerate referințe fundamentale atât în mediul academic, cât și în cel industrial. Expertiza sa acoperă o gamă largă de fenomene, de la latchup la efectele radiațiilor asupra circuitelor integrate, consolidându-i reputația de autoritate în ingineria fiabilității dispozitivelor semiconductoare moderne.


Notă biografică

Dr Steven H. Voldman received his B.S. in Engineering Science from the University of Buffalo (1979); M.S. EE (1981) and Electrical Engineer Degree (1982) from M.I.T; MS Engineering Physics (1986) and Ph.D EE (1991) from the University of Vermont under IBM's Resident Study Fellow Program. At M.I.T, he worked as a member of the M.I.T. Plasma Fusion Center, and the High Voltage Research Laboratory (HVRL). At IBM, as a reliability device engineer, his work include pioneering work in bipolar/ CMOS SRAM alpha particle and cosmic ray SER simulation, MOSFET gate-induced drain leakage (GIDL) mechanism, hot electron, epitaxy/well design, CMOS latchup, and ESD. Since 1986, he has been responsible for defining the IBM ESD/latchup strategy for CMOS, SOI, BiCMOS and RF CMOS and SiGe technologies. He has authored ESD and latchup publications in the area of MOSFET Scaling, device simulations, copper, low-k, MR heads, CMOS, SOI , Sage and SiGeC technology. Voldman served as SEMATECH ESD Working Group Chairman (1996-2000), ESD Association General Chairman and Board of Directors, International Reliability Physics (IRPS) ESD/Latchup Chairman, International Physical and Failure Analysis (IPFA) Symposium ESD Sub-Committee Chairman, ESD Association Standard Development Chairman on Transmission Line Pulse Testing, ESD Education Committee, and serves on the ISQED Committee, Taiwan ED Conference (T-ESDC) Technical Program Committee. Voldman has provided ESD lectures for universities (e.g. MIT Lecture Series, Taiwan National Chiao-Tung University, and Singapore Nanyang Technical University). He is a recipient of over 125 US patents, over 100 publications, and also provides talks on patenting, and invention. He has been featured in EE Times, Intellectual Property Law and Business and authored the first article on ESD phenomena for the October 2002 edition of Scientific American entitled Lightening Rods for Nanostructures, and Pour La Science, Le Scienze, and Swiat Nauk international editions. Dr. Voldman was recently accepted as the first IEEE Fellow for ESD phenomena in semiconductors for ' contributions to electrostatic discharge protection CMOS, SOI and SiGe technologies'.

Descriere

Provides a comprehensive analysis of ESD failure mechanisms over a wide range of semiconductor materials, devices, circuits and applications. Sets out methods for eliminating failure mechanisms through workable circuit solutions, including practical examples of failure defects.