Cantitate/Preț
Produs

Computer Simulations of Dislocations: Oxford Series on Materials Modelling, cartea 3

Autor Vasily Bulatov, Wei Cai
en Limba Engleză Paperback – 13 iun 2013

În cadrul Oxford Series on Materials Modelling, volumul Computer Simulations of Dislocations se impune ca un instrument metodologic riguros pentru studiul defectelor de rețea. Această ediție consolidează abordarea multiscalară, oferind o tranziție fluidă între modelele atomiste și cele de continuum, esențială pentru înțelegerea plasticității materialelor cristaline. Apreciem în mod deosebit structurarea informației sub formă de „rețete numerice”, o alegere editorială care transformă conceptele teoretice abstracte în pași de calcul concreți, facilitând aplicarea imediată în proiecte de cercetare.

Spre deosebire de abordările pur teoretice, găsim în această lucrare o componentă practică pronunțată, susținută de accesul la coduri de simulare și exerciții dedicate, ceea ce permite cititorului o experiență de tip „learn-by-doing”. Stilul este informativ și precis, fiind susținut vizual de cele 88 de desene tehnice care clarifică dinamica dislocațiilor. Cartea servește drept alternativă la Introduction to Dislocations de Derek Hull pentru cursurile de fizica stării solide sau știința materialelor, având avantajul integrării directe a modelării computaționale moderne față de prezentările clasice axate pe microscopie.

În comparație cu Multiscale Materials Modeling for Nanomechanics, care se concentrează pe scara nanometrică, lucrarea semnată de Vasily Bulatov și Wei Cai oferă o perspectivă mai largă asupra interconexiunilor dintre diferite metode de simulare, fiind ideală pentru cei care doresc să înțeleagă punctele forte și limitările fiecărui algoritm în contextul defectelor structurale.

Citește tot Restrânge

Din seria Oxford Series on Materials Modelling

Preț: 45004 lei

Preț vechi: 58188 lei
-23%

Puncte Express: 675

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 28 mai-03 iunie


Specificații

ISBN-13: 9780199674060
ISBN-10: 019967406X
Pagini: 304
Ilustrații: 88 line drawings, 4 halftones
Dimensiuni: 168 x 240 x 17 mm
Greutate: 0.51 kg
Editura: OUP OXFORD
Colecția OUP Oxford
Seria Oxford Series on Materials Modelling

Locul publicării:Oxford, United Kingdom

De ce să citești această carte

Recomandăm această carte studenților și cercetătorilor care au nevoie de o bază solidă în modelarea computațională a materialelor. Cititorul câștigă nu doar cunoștințe teoretice despre dislocații, ci și abilități practice de programare și simulare, datorită codurilor sursă incluse. Este o resursă esențială pentru a face tranziția de la teoria defectelor de rețea la cercetarea aplicată susținută de calculator.


Despre autor

Vasily Bulatov și Wei Cai sunt experți recunoscuți în domeniul modelării materialelor, cu o experiență vastă în dezvoltarea algoritmilor pentru simularea defectelor în solide. Vasily Bulatov este cunoscut pentru contribuțiile sale la înțelegerea mecanismelor fundamentale ale plasticității la nivel atomic, în timp ce Wei Cai, profesor la Universitatea Stanford, se specializează în metode computaționale multiscală. Expertiza lor combinată asigură o abordare care echilibrează rigoarea fizicii matematice cu necesitățile practice ale ingineriei materialelor moderne.


Descriere

This book presents a broad collection of models and computational methods - from atomistic to continuum - applied to crystal dislocations. Its purpose is to help students and researchers in computational materials sciences to acquire practical knowledge of relevant simulation methods. Because their behavior spans multiple length and time scales, crystal dislocations present a common ground for an in-depth discussion of a variety of computational approaches, including their relative strengths, weaknesses and inter-connections. The details of the covered methods are presented in the form of 'numerical recipes' and illustrated by case studies. A suite of simulation codes and data files is made available on the book's website to help the reader 'to learn-by-doing' through solving the exercise problems offered in the book.

Recenzii

This book presents a collection of models and computational methods applied to crystal dislocations, to help researchers in materials science gain a practical knowledge of simulation.
An outstanding book.
Reads very well, with a very informal but highly informative style.

Notă biografică

Vasily V Bulatov, Lawrence Livermore National LaboratoryEducation:B. Sc., theoretical physics, Moscow Physical Engineering Inst. (1979)Ph. D., materials physics, USSR Academy of Sciences (1986)Appointments: Senior scientist, Inst. of Chemical Physics, Moscow (1997)Research scientist, Massachusetts Institute of Technology (1990-1998)Visiting scientist, Harvard University (1996-1997)Staff scientist, senior scientist, Lawrence Livermore National Laboratory (1999-present)Awards: William and Mary Greve Foundation fellow (1990), Alcoa Foundation Award (1996), UK Institute of Physics fellow (2001)Wei Cai, Department of Mechanical Engineering, Stanford UniversityEducation:B.Sc., optoelectronics, Huazhong University, PRC (1995)Ph. D., nuclear engineering, Massachusetts Institute of Technology (2001)Appointments:Lawrence Fellow, Lawrence Livermore National Laboratory (2001-2004)Assistant Professor, Stanford University (2004-present)Awards:Manson Benedict Fellow, Department of Nuclear Engineering, MIT (1999)Graduate Student Award, Materials Research Society (2000)The Lawrence Fellowship, Lawrence Livermore National Laboratory (2001)Presidential Early Career Award for Scientists and Engineers (2004)Frederick E. Terman Fellowship, Stanford University (2004-2007)