Cantitate/Preț
Produs
Total produse
Vezi coșul
Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology de Yoshio Nishi

Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials

Editat de Yoshio Nishi, Blanka Magyari-Kope
en Limba Engleză Paperback – 18 iun 2019

Considerăm ediția a doua a volumului Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology, coordonată de Yoshio Nishi și Blanka Magyari-Kope, o resursă tehnică esențială ce integrează studii de caz și modele matematice pentru cele mai noi arhitecturi de stocare. Reținem că această actualizare pune la dispoziție resurse critice privind modelarea și caracterizarea dispozitivelor inovatoare, precum tehnologia OxRAM și CBRAM, oferind expertiză directă din mediul academic și industrial.

Structura volumului este organizată riguros în două părți. Prima parte analizează progresul tehnologic actual, detaliind mecanismele de comutare memristivă și arhitecturile 3D-NAND Flash. A doua parte explorează frontierele ingineriei materialelor, de la memoriile ferroelectrice la aplicații în calculul neuromorfic. Complementar volumului Emerging Non-volatile Memory Technologies, care se concentrează pe principiile fundamentale ale spintronicii, această lucrare din Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials acoperă în profunzime zona dispozitivelor flexibile și transparente (SOP), oferind o perspectivă aplicată asupra integrării sistemelor.

De asemenea, față de Sensing of Non-Volatile Memory Demystified, care prioritizează tehnicile de detecție (sensing), volumul de față se distinge prin analiza detaliată a materialelor și a proceselor de fabricație pentru memoriile rezistive și magnetice. Progresia capitolelor permite o înțelegere tehnică a limitărilor actuale ale tehnologiei Flash și a soluțiilor propuse prin STT-RAM sau SOT-MRAM, fiind un instrument de lucru indispensabil pentru proiectarea hardware-ului de generație viitoare.

Citește tot Restrânge

Din seria Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials

Preț: 111877 lei

Preț vechi: 153535 lei
-27%

Puncte Express: 1678

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 13-27 iulie

Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
 Adaugă în coș

Wish list
Gift list
Am citit!
Adaugă în listă

Specificații

ISBN-13: 9780081025840
ISBN-10: 008102584X
Pagini: 662
Dimensiuni: 152 x 229 x 40 mm
Greutate: 0.88 kg
Ediția:2
Editura: ELSEVIER SCIENCE
Seria Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials

Public țintă

academic researchers and R&D professionals in materials science, physics, and engineering

De ce să citești această carte

Recomandăm acest volum cercetătorilor și inginerilor R&D care au nevoie de o documentație tehnică avansată despre noile tehnologii de memorie non-volatilă. Cititorul câștigă o înțelegere profundă a arhitecturilor 3D și a memristorilor, elemente cheie pentru dezvoltarea sistemelor de calcul neuromorfic și a dispozitivelor semiconductoare performante. Este un ghid practic pentru optimizarea materialelor și a eficienței energetice în stocarea datelor.

Descriere scurtă

Advances in Nonvolatile Memory and Storage Technology, Second Edition, addresses recent developments in the non-volatile memory spectrum, from fundamental understanding, to technological aspects. The book provides up-to-date information on the current memory technologies as related by leading experts in both academia and industry. To reflect the rapidly changing field, many new chapters have been included to feature the latest in RRAM technology, STT-RAM, memristors and more. The new edition describes the emerging technologies including oxide-based ferroelectric memories, MRAM technologies, and 3D memory. Finally, to further widen the discussion on the applications space, neuromorphic computing aspects have been included.
This book is a key resource for postgraduate students and academic researchers in physics, materials science and electrical engineering. In addition, it will be a valuable tool for research and development managers concerned with electronics, semiconductors, nanotechnology, solid-state memories, magnetic materials, organic materials and portable electronic devices.


  • Discusses emerging devices and research trends, such as neuromorphic computing and oxide-based ferroelectric memories
  • Provides an overview on developing nonvolatile memory and storage technologies and explores their strengths and weaknesses
  • Examines improvements to flash technology, charge trapping and resistive random access memory

Cuprins

Part 1: Progress in nonvolatile memory research and application
1. OxRAM technology development and performances
2. Metal-oxide resistive random access memory (RRAM) technology: Material and operation details and ramifications
3. Advanced modeling and characterization techniques for innovative memory devices: The RRAM case
4. Mechanism of memristive switching in OxRAM
5. Interface effects on memristive devices
6. Spin-orbit torque magnetoresistive random-access memory (SOT-MRAM)
7. Spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM) technology
8. 3D-NAND Flash memory and technology
9. Advances in oxide-based conductive bridge memory (CBRAM) technology for computing systems
10. Selector devices for x-point memory
Part 2: Emerging opportunities
11. Ferroelectric memories
12. Advances in nanowire PCM
13. Flexible and transparent ReRAM devices for system on panel (SOP) application
14. RRAM/memristor for computing
15. Emerging memory technologies for neuromorphic hardware
16. Neuromorphic computing with resistive switching memory devices