Cantitate/Preț
Produs

ULSI Radiation C

Autor Ibe
en Limba Engleză Hardback – 9 feb 2015

În domeniul electronicii de înaltă densitate (ULSI), fiabilitatea sistemelor este direct influențată de fenomene fizice complexe, adesea invizibile. Terrestrial Radiation Effects in ULSI Devices and Electronic Systems oferă o perspectivă tehnică riguroasă asupra modului în care radiațiile de mediu — de la neutroni și raze alfa până la muoni și ioni grei — provoacă defecțiuni în infrastructurile critice, precum serverele și routerele. Găsim în această lucrare o structură logică ce pornește de la fizica de bază a interacțiunii particulelor cu materia și avansează spre algoritmi numerici specifici pentru predicția și atenuarea erorilor de tip „soft-error”. Abordarea autorului Eishi H Ibe se distinge prin echilibrul dintre rigoarea academică și aplicabilitatea industrială. Comparativ cu volumul Soft Errors de Jean-Luc Autran, care explorează problema de la particule la circuite dintr-o perspectivă multidisciplinară vastă, lucrarea de față este mai concentrată pe dezvoltarea modelelor matematice și pe implementarea lor numerică pentru dispozitivele de ultimă generație. Recomandăm acest titlu în special pentru accentul pus pe condițiile terestre și aviatice, oferind soluții concrete de „radiation-hardening” care depășesc simplul cadru teoretic. Această carte consolidează temele abordate de autor în lucrarea sa anterioară, Dependability in Electronic Systems. Dacă în volumul precedent Eishi H Ibe se concentra pe aplicarea practică a sistemelor dependabile în transporturi și auto, aici aprofundează mecanismele fizice fundamentale ale radiațiilor, oferind cititorului instrumentele necesare pentru a modela comportamentul componentelor electronice în medii radiative ostile. Prezența mostrelor de cod pentru simulări subliniază caracterul instrumental al cărții, transformând-o dintr-un tratat teoretic într-un ghid de proiectare avansată.

Citește tot Restrânge

Preț: 90960 lei

Preț vechi: 99956 lei
-9%

Puncte Express: 1364

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 30 septembrie-14 octombrie

Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.

Specificații

ISBN-13: 9781118479292
ISBN-10: 1118479297
Pagini: 296
Dimensiuni: 175 x 250 x 20 mm
Greutate: 0.69 kg
Editura: Wiley
Locul publicării:Singapore, Singapore

Public țintă

Primary: Researchers or post–graduates in nuclear and space radiation, semiconductor physics and electron devices, as well as other areas of applied physics modelling.
Secondary: Researchers or students interested in how the variety of physical phenomena can be modelled and numerically treated

De ce să citești această carte

Această resursă este esențială pentru cercetătorii și inginerii care proiectează sisteme electronice de înaltă fiabilitate. Cititorul câștigă o înțelegere profundă a vulnerabilităților ULSI în fața radiațiilor terestre și, mai important, învață să utilizeze modele numerice pentru a mitiga aceste riscuri. Este o investiție necesară pentru cei care lucrează în infrastructura de comunicații, aviație sau centre de date, unde continuitatea operațională este critică.


Despre autor

Eishi H Ibe este o autoritate recunoscută la nivel mondial în studiul erorilor tranzitorii (soft-errors) induse de radiații în dispozitivele semiconductoare. Cu o experiență vastă în modelarea efectelor fizice în circuite integrate, acesta a contribuit semnificativ la standardele de fiabilitate industrială. Expertiza sa acoperă atât fizica nucleară, cât și ingineria electronică, fiind autorul unor lucrări de referință precum Dependability in Electronic Systems, unde explorează contramăsurile împotriva interferențelor electromagnetice și a radiațiilor de mediu în sisteme critice.


Descriere scurtă

This book provides the reader with knowledge on a wide variety of radiation fields and their effects on the electronic devices and systems. The author covers faults and failures in ULSI devices induced by a wide variety of radiation fields, including electrons, alpha-rays, muons, gamma rays, neutrons and heavy ions. Readers will learn how to make numerical models from physical insights, to determine the kind of mathematical approaches that should be implemented to analyze radiation effects. A wide variety of prediction, detection, characterization and mitigation techniques against soft-errors are reviewed and discussed. The author shows how to model sophisticated radiation effects in condensed matter in order to quantify and control them, and explains how electronic systems including servers and routers are shut down due to environmental radiation. * Provides an understanding of how electronic systems are shut down due to environmental radiation by constructing physical models and numerical algorithms * Covers both terrestrial and avionic-level conditions * Logically presented with each chapter explaining the background physics to the topic followed by various modelling techniques, and chapter summary * Written by a widely-recognized authority in soft-errors in electronic devices * Code samples available for download from the Companion Website This book is targeted at researchers and graduate students in nuclear and space radiation, semiconductor physics and electron devices, as well as other areas of applied physics modelling. Researchers and students interested in how a variety of physical phenomena can be modelled and numerically treated will also find this book to present helpful methods.

Notă biografică

Eishi, H. Ibe, Chief Researcher, Yokohama Research Laboratory, Hitachi, Ltd. Dr.Eishi Hidefumi IBE received his Ph.D degree in Nuclear Engineering from Osaka University, Japan in 1985. His expertise covers a wide area of science, such as elementary particle/cosmic ray physics, nuclear /neutron physics, semiconductor physics, mathematics and computing technologies, ion-implantation/mixing and accelerator technologies, electro-chemistry, data-base handling, and BS/Auger/SEM/ Laser-beam micro analysis. He has authored more than 90 international technical papers and presentations including 22 invited contributions in the field of radiation effects. Dr.Ibe was elevated to IEEE Fellow for contributions to analysis of soft-errors in memory devices in 2008.