La diminution soutenue des dimensions du transistor accelere la rencontre de la microelectronique avec la mecanique quantique et d'autres lois regissent desormais le transport des electrons. La simulation des composants microelectroniques a donc besoin de nouvelles theories et techniques de modelisation ameliorant la comprehension physique des dispositifs de taille nanometrique. Ce livre presente le principe des techniques evolutionnaires (GA, PSO, ...) et leurs applications dans le domaine de la modelisation des composants nanoelectroniques. Le manuscrit donne les bases necessaires a la comprehension des GAs et l'optimisation par PSO. Il presente l'etat de l'art des travaux recemment publies et les plus significatifs dans le domaine de la modelisation compacte du transistor a double-grilles et leurs limites de validite, et expose ensuite l'approche de la modelisation numerique du DG MOSFET aux dimensions ultimes basee sur le formalisme des fonctions de Green hors-equilibre (NEGF). Finalement, des nouveaux modeles analytiques optimises qui permettent d'etudier le comportement du transistor DG MOSFET nanometrique sont developpes en utilisant les techniques evolutionnaires."