The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation: Computational Microelectronics
Autor Carlo Jacoboni, Paolo Luglien Limba Engleză Paperback – 5 oct 2011
Din seria Computational Microelectronics
- 18%
Preț: 921.14 lei - 18%
Preț: 907.85 lei - 15%
Preț: 621.17 lei - 18%
Preț: 914.96 lei - 15%
Preț: 580.11 lei - 18%
Preț: 924.37 lei - 15%
Preț: 616.83 lei - 15%
Preț: 617.72 lei - 18%
Preț: 917.40 lei -
Preț: 378.32 lei - 20%
Preț: 474.17 lei -
Preț: 375.04 lei -
Preț: 385.84 lei - 20%
Preț: 640.65 lei -
Preț: 381.30 lei - 28%
Preț: 762.47 lei - 18%
Preț: 1770.41 lei - 15%
Preț: 561.75 lei
Preț: 911.34 lei
Preț vechi: 1111.40 lei
-18%
Puncte Express: 1367
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 09-23 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783709174531
ISBN-10: 3709174538
Pagini: 369
Ilustrații: X, 359 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 25 mm
Greutate: 0.52 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1989
Editura: SPRINGER VIENNA
Colecția Springer
Seria Computational Microelectronics
Locul publicării:Vienna, Austria
ISBN-10: 3709174538
Pagini: 369
Ilustrații: X, 359 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 25 mm
Greutate: 0.52 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1989
Editura: SPRINGER VIENNA
Colecția Springer
Seria Computational Microelectronics
Locul publicării:Vienna, Austria
Public țintă
ResearchCuprins
1 Introduction.- References.- 2 Charge Transport in Semiconductors.- 2.1 Electron Dynamics.- 2.2 Energy Bands.- 2.3 Scattering Mechanisms.- 2.4 Scattering Probabilities.- 2.5 Transport Equation.- 2.6 Linear Response and the Relaxation Time Approximation.- 2.7 Diffusion, Noise, and Velocity Autocorrelation Function.- 2.8 Hot Electrons.- 2.9 Transient Transport.- 2.10 The Two-dimensional Electron Gas.- References.- 3 The Monte Carlo Simulation.- 3.1 Fundamentals.- 3.2 Definition of the Physical System.- 3.3 Initial Conditions.- 3.4 The Free Flight, Self Scattering.- 3.5 The Scattering Process.- 3.6 The Choice of the State After Scattering.- 3.7 Collection of Results for Steady-State Phenomena.- 3.8 The Ensemble Monte Carlo (EMC).- 3.9 Many Particle Effects.- 3.10 Monte Carlo Simulation of the 2DEG.- 3.11 Special Topics.- 3.12 Variance-reducing Techniques.- 3.13 Comparison with Other Techniques.- References.- 4 Review of Semiconductor Devices.- 4.1 Introduction.- 4.2 Historical Evolution of Semiconductor Devices.- 4.3 Physical Basis of Semiconductor Devices.- 4.4 Comparison of Semiconductor Devices.- References.- 5 Monte Carlo Simulation of Semiconductor Devices.- 5.1 Introduction.- 5.2 Geometry of the System.- 5.3 Particle-Mesh Force Calculation.- 5.4 Poisson Solver and Field Distribution.- 5.5 The Monte Carlo Simulation of Semiconductor Devices.- References.- 6 Applications.- 6.1 Introduction.- 6.2 Diodes.- 6.3 MESFET.- 6.4 HEMT and Heterojunction Real Space Transfer Devices.- 6.5 Bipolar Transistor.- 6.6 HBT.- 6.7 MOSFET and MISFET.- 6.8 Hot Electron Transistors.- 6.9 Permeable Base Transistor.- 6.10 Comparison with Traditional Simulators.- References.- Appendix A. Numerical Evaluation of Some Integrals of Interest.- References.- Appendix B. Generation of Random Numbers.- References.