Sputtering by Particle Bombardment II: Topics in Applied Physics, cartea 52
Editat de R. Behrischen Limba Engleză Paperback – 23 aug 2014
Din seria Topics in Applied Physics
-
Preț: 410.68 lei - 18%
Preț: 1351.58 lei - 18%
Preț: 1497.46 lei - 18%
Preț: 752.87 lei - 18%
Preț: 702.39 lei - 24%
Preț: 780.82 lei -
Preț: 374.14 lei -
Preț: 376.01 lei - 18%
Preț: 1185.07 lei - 18%
Preț: 1176.42 lei - 18%
Preț: 1332.30 lei - 18%
Preț: 2019.84 lei - 18%
Preț: 1173.85 lei - 18%
Preț: 2044.04 lei - 18%
Preț: 931.02 lei - 18%
Preț: 1179.46 lei - 18%
Preț: 1182.17 lei - 18%
Preț: 1332.90 lei -
Preț: 380.82 lei - 18%
Preț: 1780.88 lei - 18%
Preț: 1200.83 lei - 18%
Preț: 1781.08 lei - 24%
Preț: 1274.24 lei - 18%
Preț: 941.67 lei - 18%
Preț: 906.94 lei - 18%
Preț: 917.28 lei - 18%
Preț: 1180.74 lei - 18%
Preț: 938.80 lei - 18%
Preț: 915.07 lei -
Preț: 379.88 lei - 18%
Preț: 867.83 lei
Preț: 382.07 lei
Puncte Express: 573
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 11-25 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit de la 400.00 lei Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783662311691
ISBN-10: 3662311690
Pagini: 412
Ilustrații: XIII, 394 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 23 mm
Greutate: 0.59 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st edition 1983
Editura: Springer
Colecția Topics in Applied Physics
Seria Topics in Applied Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3662311690
Pagini: 412
Ilustrații: XIII, 394 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 23 mm
Greutate: 0.59 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st edition 1983
Editura: Springer
Colecția Topics in Applied Physics
Seria Topics in Applied Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
and overview.- Sputtering of multicomponent materials.- Chemical sputtering.- Sputtering by electrons and photons.- Sputtering of solids with neutrons.- Heavy ion sputtering induced surface topography development.- Development of surface topography due to gas ion implantation.