Sputtering by Particle Bombardment II: Sputtering of Alloys and Compounds, Electron and Neutron Sputtering, Surface Topography: Topics in Applied Physics, cartea 52
Editat de R. Behrischen Limba Engleză Paperback – 23 aug 2014
Din seria Topics in Applied Physics
-
Preț: 410.68 lei - 18%
Preț: 1345.51 lei - 18%
Preț: 1497.46 lei - 18%
Preț: 752.87 lei - 18%
Preț: 702.39 lei -
Preț: 371.37 lei -
Preț: 373.24 lei - 18%
Preț: 1185.07 lei - 18%
Preț: 1176.42 lei - 18%
Preț: 1332.30 lei - 18%
Preț: 2019.84 lei - 18%
Preț: 1173.85 lei - 18%
Preț: 2015.01 lei - 18%
Preț: 918.77 lei - 18%
Preț: 1179.46 lei - 18%
Preț: 1182.17 lei - 18%
Preț: 1332.90 lei -
Preț: 377.68 lei - 18%
Preț: 1759.19 lei - 18%
Preț: 1200.83 lei - 18%
Preț: 1764.96 lei - 24%
Preț: 1275.23 lei - 18%
Preț: 927.26 lei - 18%
Preț: 906.94 lei - 18%
Preț: 912.25 lei - 18%
Preț: 1170.20 lei - 18%
Preț: 921.95 lei - 18%
Preț: 906.80 lei -
Preț: 376.75 lei - 18%
Preț: 1081.65 lei
Preț: 378.78 lei
Nou
Puncte Express: 568
Preț estimativ în valută:
67.03€ • 78.17$ • 58.85£
67.03€ • 78.17$ • 58.85£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 16-30 ianuarie 26
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783662311691
ISBN-10: 3662311690
Pagini: 412
Ilustrații: XIII, 394 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 22 mm
Greutate: 0.55 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Topics in Applied Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3662311690
Pagini: 412
Ilustrații: XIII, 394 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 22 mm
Greutate: 0.55 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Topics in Applied Physics
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
and overview.- Sputtering of multicomponent materials.- Chemical sputtering.- Sputtering by electrons and photons.- Sputtering of solids with neutrons.- Heavy ion sputtering induced surface topography development.- Development of surface topography due to gas ion implantation.