MOSFETs: Properties, Preparations & Performance
Autor Noah T Andre, Lucas M Simonen Limba Engleză Hardback – dec 2008
Preț: 1036.25 lei
Preț vechi: 1479.14 lei
-30%
Puncte Express: 1554
Carte disponibilă
Livrare economică 17 iunie-01 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9781604567625
ISBN-10: 1604567627
Pagini: 454
Ilustrații: tables, charts & illus
Dimensiuni: 260 x 180 x 33 mm
Greutate: 1.09 kg
Editura: Nova Science Publishers Inc
Colecția Nova Science Publishers, Inc (US)
Locul publicării:United States
ISBN-10: 1604567627
Pagini: 454
Ilustrații: tables, charts & illus
Dimensiuni: 260 x 180 x 33 mm
Greutate: 1.09 kg
Editura: Nova Science Publishers Inc
Colecția Nova Science Publishers, Inc (US)
Locul publicării:United States
Cuprins
Preface; Novel Device Concepts to Overcome MOSFET Limits; Efficient Parallel Monte Carlo Simulations Using Finite Element Tetrahedral Meshes for Novel Thin-Body MOSFET Architectures; Cryogenic Operation of Power MOSFETs; Redesign and Optimisation of Semiconductor Devices and Circuits; Thin and Ultra-Thin SiO2 Gate Oxide in Metal-Oxide-Semiconductor Structors Under Electrical Stresses: Reliability Predictions and Degradation Mechanism Models; Some Medical Applications of MOSFETs in Radiation Therapy: Surface Dose and Electron Backscatter Measurements with Monte Carlo Simulations; Surrounding-Gate MOSFETs for Transistor Scaling: Devices, Fabrication and Modelling; Quantum, Self Heating and Hot Electron Effects of Si-Based Double-Gate MOSFET and GaN-Based MOS-HFET ; Bulk FinFETs: Fabrication and Threshold Voltage ; Discussion on 1/f Noise in CMOS Transistors: Modelling- Simulation and Measurement Techniques; A Rigorous Analysis of the Parameters Which Govern the Silc in MOSFET's with Oxide Thickness in the 1-2 Nanometer Range; Analog and Digital Circuit Functionality Under the Influence of Gate Oxide Degradation and Breakdown; MOSFET's Programmable Conductance: The Way of VLSI Implementation for Emerging Applications from Biologically Plausible Neuromorphic Devices to Mobile Communications; Index.