Ce travail de these est constitue de deux grandes parties. Dans la premiere partie, nous avons etudie la redistribution du B dans le Si(001), a l'ambiante et apres recuit thermique, a l'aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette etude, le Si a ete fortement dope en B. La concentration en B dans le Si peut alors depasser la limite de solubilite. On est donc dans le cas d'un systeme sursature. Dans ce cas, nous avons observe qu'a la formation de defauts (BIC's, etc...) s'ajoute la germination d'amas riches en B ou meme la precipitation d'une nouvelle phase apres recuit thermique. Dans la deuxieme partie, nous avons etudie la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilise lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de reduire la resistance de contact. A part l'accumulation du B a l'interface NiSi/Si et a la surface de NiSi, nous avons observe, la precipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit a 450 C. En revanche, pour le Pt nous n'observons plus un phenomene de precipitation. Il a plutot tendance de segreger aux interfaces a 290 C (phenomene de "chasse-neige "), tandis qu'au dela de 350 C, le Pt s'accumule plutot dans la phase NiSi."