Introduction to Magnetic Random-Access Memory

Observăm că Introduction to Magnetic Random–Access Memory este concepută ca o resursă fundamentală pentru a facilita tranziția tehnologică de la memoria tradițională CMOS către soluțiile magnetice non-volatile. Această ediție pune un accent deosebit pe schimbarea de paradigmă de la toggle-MRAM, deja prezent în comerț, către tehnologia de transfer de cuplu prin spin (spin-transfer torque), care utilizează momentul unghiular de spin al electronilor în locul sarcinii electrice. Structura volumului acoperă sistematic fenomenele fizice de bază, tehnologia magnetică de tip back-end și noile arhitecturi logic-in-memory. Apreciem modul în care autorii Bernard Dieny, Ronald B. Goldfarb și Kyung–Jin Lee reușesc să unească două comunități academice și industriale care, de regulă, utilizează instrumente și terminologii diferite: cea a magnetismului și cea a microelectronicii. Cartea completează perspectiva oferită de Magnetic Memory Technology, adăugând o analiză mai detaliată asupra structurilor de filme subțiri (film stacks) și a principiilor de magnetizare în plan sau perpendicular pe plan, esențiale pentru inginerii care proiectează dispozitive de generație viitoare. În contextul operei autorului Bernard Dieny, acest titlu reprezintă o evoluție aplicată a temelor teoretice explorate în Magnetism and Structure in Systems of Reduced Dimension. Dacă lucrarea anterioară se concentra pe fizica sistemelor de dimensiuni reduse, volumul de față transferă acele cunoștințe în planul ingineriei practice. Stilul este tehnic și riguros, adaptat curriculei de masterat sau doctorat, oferind o bază solidă pentru înțelegerea disipării reduse de energie și a vitezei mari de comutare specifice MRAM.