High Pressure Semiconductor Physics I: Semiconductors and Semimetals, cartea 54
R. K. Willardson, Eicke R. Weber William Paul, Tadeusz Suskien Limba Engleză Hardback – 9 sep 1998
Din seria Semiconductors and Semimetals
- 35%
Preț: 889.54 lei - 35%
Preț: 893.18 lei - 28%
Preț: 991.10 lei - 27%
Preț: 1073.30 lei - 38%
Preț: 1072.16 lei - 22%
Preț: 1146.24 lei - 22%
Preț: 1148.01 lei - 23%
Preț: 1141.80 lei - 32%
Preț: 1007.04 lei - 35%
Preț: 1010.43 lei - 32%
Preț: 1006.33 lei - 32%
Preț: 1008.35 lei - 32%
Preț: 1005.99 lei - 42%
Preț: 1005.64 lei - 42%
Preț: 1002.27 lei - 32%
Preț: 1003.42 lei - 35%
Preț: 1010.49 lei - 36%
Preț: 1006.00 lei - 27%
Preț: 907.97 lei - 27%
Preț: 905.29 lei - 27%
Preț: 905.86 lei - 27%
Preț: 906.28 lei - 27%
Preț: 907.10 lei - 27%
Preț: 907.23 lei - 27%
Preț: 907.23 lei - 27%
Preț: 905.60 lei - 27%
Preț: 908.98 lei - 27%
Preț: 904.85 lei - 54%
Preț: 905.98 lei - 27%
Preț: 905.47 lei - 27%
Preț: 905.23 lei - 27%
Preț: 904.11 lei - 27%
Preț: 906.71 lei - 35%
Preț: 1075.07 lei - 35%
Preț: 1074.65 lei - 35%
Preț: 1020.46 lei - 36%
Preț: 1011.05 lei - 35%
Preț: 1019.48 lei - 36%
Preț: 1011.50 lei - 35%
Preț: 1078.63 lei - 35%
Preț: 1076.41 lei - 9%
Preț: 1071.97 lei - 35%
Preț: 1074.01 lei - 35%
Preț: 1014.76 lei - 35%
Preț: 1006.86 lei
Preț: 909.91 lei
Preț vechi: 1246.45 lei
-27%
Puncte Express: 1365
Preț estimativ în valută:
160.91€ • 188.83$ • 139.57£
160.91€ • 188.83$ • 139.57£
Carte tipărită la comandă
Specificații
ISBN-13: 9780127521626
ISBN-10: 0127521623
Pagini: 577
Dimensiuni: 152 x 229 x 32 mm
Greutate: 0.95 kg
Editura: ELSEVIER SCIENCE
Seria Semiconductors and Semimetals
ISBN-10: 0127521623
Pagini: 577
Dimensiuni: 152 x 229 x 32 mm
Greutate: 0.95 kg
Editura: ELSEVIER SCIENCE
Seria Semiconductors and Semimetals
Public țintă
Researchers, graduate students, and practitioners in materials science (electronic materials field) and electrical engineering (field of electronic devices).Cuprins
W. Paul, High Pressure in Semiconductor Physics: A Historical Overview. N.E. Christensen, Electronic Structure Calculations for Semiconductors under Pressure. R.J. Nelmes and M.I. McMahon, Structural Transitions in the III-V and II-VI and group-IV Semiconductors Under Pressure. A.R. Goni and K. Syassen, Optical Properties of Semiconductors Under Pressure. P. Trautman, M. Baj, and J.M. Baranowski, Defects: Hydrostatic Pressure and Uniaxial Stress in Investigations of the EL2 Defect in GaAs. M.-f. Li and P.Y. Yu, High Pressure Study of DX enters Using Capacitance Techniques. T. Suski, Spatial Correlations of Impurity Charges in Doped Semiconductors. N. Kuroda, Pressure Effects on the Electronic Properties of Diluted Magnetic Semiconductors. Chapter References. Subject Index.