Hierarchical Device Simulation: The Monte-Carlo Perspective: Computational Microelectronics
Autor Christoph Jungemann, Bernd Meinerzhagenen Limba Engleză Paperback – 5 sep 2012
Din seria Computational Microelectronics
- 18%
Preț: 921.14 lei - 18%
Preț: 907.85 lei - 15%
Preț: 621.17 lei - 18%
Preț: 914.96 lei - 15%
Preț: 580.11 lei - 18%
Preț: 924.37 lei - 15%
Preț: 616.83 lei - 15%
Preț: 617.72 lei - 18%
Preț: 917.40 lei -
Preț: 378.32 lei - 20%
Preț: 474.17 lei -
Preț: 375.04 lei -
Preț: 385.84 lei - 20%
Preț: 640.65 lei -
Preț: 381.30 lei - 28%
Preț: 762.47 lei - 18%
Preț: 1770.41 lei - 15%
Preț: 561.75 lei
Preț: 614.90 lei
Preț vechi: 723.41 lei
-15%
Puncte Express: 922
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 09-23 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783709172261
ISBN-10: 3709172268
Pagini: 280
Ilustrații: XVI, 261 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.4 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 2003
Editura: SPRINGER VIENNA
Colecția Springer
Seria Computational Microelectronics
Locul publicării:Vienna, Austria
ISBN-10: 3709172268
Pagini: 280
Ilustrații: XVI, 261 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.4 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 2003
Editura: SPRINGER VIENNA
Colecția Springer
Seria Computational Microelectronics
Locul publicării:Vienna, Austria
Public țintă
ResearchCuprins
1 Introduction.- References.- 2 Semiclassical Transport Theory.- 2.1 The Boltzmann Transport Equation.- 2.2 Balance Equations.- 2.3 The Microscopic Relaxation Time.- 2.4 Fluctuations in the Steady-State 25 References.- 3 The Monte-Carlo Method.- 3.1 Basic Monte-Carlo Methods.- 3.2 The Monte-Carlo Solver of the Boltzmann Equation.- 3.3 Velocity Autocorrelation Function.- 3.4 Basic Statistics.- 3.5 Convergence Estimation.- References.- 4 Scattering Mechanisms.- 4.1 Phonon Scattering.- 4.2 Alloy Scattering.- 4.3 Impurity Scattering.- 4.4 Impact Ionization by Electrons.- 4.5 Surface Roughness Scattering.- References.- 5 Full-Band Structure.- 5.1 Basic Properties of the Band Structure of Relaxed Silicon.- 5.2 Basic Properties of the Band Structure of Strained SiGe.- 5.3 k-Space Grid.- 5.4 Calculation of the Density of States.- 5.5 Mass Tensor Evaluation.- 5.6 Particle Motion in Phase-Space.- 5.7 Selection of a Final State in k-Space.- References.- 6 Device Simulation.- 6.1 Device Discretization.- 6.2 Band Edges.- 6.3 Poisson Equation.- 6.4 Self-Consistent Device Simulation.- 6.5 Nonlinear Poisson Equation.- 6.6 Nonself-Consistent Device Simulation.- 6.7 Statistical Enhancement.- 6.8 Terminal Current Estimation.- 6.9 Contact Resistance.- 6.10 Normalization of Physical Quantities.- References.- 7 Momentum-Based Transport Models.- 7.1 The Hydrodynamic Model.- 7.2 Small-Signal Analysis.- 7.3 Noise Analysis.- 7.4 The Drift-Diffusion Model.- 7.5 Transport and Noise Parameter Simulation.- References.- 8 Stochastic Properties of Monte-Carlo Device Simulations.- 8.1 Stochastic Error.- 8.2 In-Advance CPU Time Estimation.- References.- 9 Results.- 9.1 N+NN+ and P+PP+ Structures.- 9.2 MOSFETs.- 9.3 SiGe HBTs.- References.
Caracteristici
First monograph on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices In-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe Comprehensive description of the momentum-based and monte-carlo models is given