FET Modeling for Circuit Simulation: The Springer International Series in Engineering and Computer Science, cartea 48
Autor Dileep A. Divekaren Limba Engleză Paperback – 28 mai 2013
Din seria The Springer International Series in Engineering and Computer Science
- 18%
Preț: 1177.92 lei - 18%
Preț: 921.36 lei - 20%
Preț: 615.32 lei - 20%
Preț: 621.64 lei - 20%
Preț: 618.96 lei - 24%
Preț: 847.29 lei - 20%
Preț: 622.37 lei - 20%
Preț: 950.07 lei - 20%
Preț: 621.01 lei - 18%
Preț: 903.90 lei - 20%
Preț: 950.72 lei - 18%
Preț: 919.85 lei - 15%
Preț: 621.23 lei - 18%
Preț: 913.32 lei - 18%
Preț: 1173.85 lei - 15%
Preț: 619.12 lei - 18%
Preț: 904.83 lei - 18%
Preț: 904.83 lei - 20%
Preț: 1234.64 lei - 20%
Preț: 1725.82 lei - 20%
Preț: 945.61 lei -
Preț: 381.30 lei - 20%
Preț: 610.19 lei - 18%
Preț: 1193.58 lei - 20%
Preț: 622.65 lei - 20%
Preț: 1234.18 lei - 18%
Preț: 911.89 lei - 20%
Preț: 625.45 lei - 15%
Preț: 617.25 lei - 18%
Preț: 1179.97 lei - 15%
Preț: 624.94 lei - 15%
Preț: 618.83 lei - 20%
Preț: 620.83 lei - 18%
Preț: 923.62 lei - 15%
Preț: 619.25 lei - 18%
Preț: 1180.20 lei - 18%
Preț: 912.45 lei
Preț: 614.61 lei
Preț vechi: 723.07 lei
-15%
Puncte Express: 922
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 08-22 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9781461289524
ISBN-10: 1461289521
Pagini: 204
Ilustrații: XVIII, 184 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 12 mm
Greutate: 0.32 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1988
Editura: Springer
Colecția The Springer International Series in Engineering and Computer Science
Seria The Springer International Series in Engineering and Computer Science
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 1461289521
Pagini: 204
Ilustrații: XVIII, 184 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 12 mm
Greutate: 0.32 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1988
Editura: Springer
Colecția The Springer International Series in Engineering and Computer Science
Seria The Springer International Series in Engineering and Computer Science
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
1 — Circuit Simulation.- 1.1 Introduction.- 1.2 Circuit Simulation Programs.- 1.3 Circuit Analysis.- 2 — Device Modeling.- 2.1 Model Development.- 2.2 Model Specification.- 2.3 Model Computation.- 2.4 Model Parameter Extraction.- 3 — Diode Models.- 3.1 Introduction.- 3.2 DC Characteristics.- 3.3 Junction voltage limiting.- 3.4 Charge storage.- 3.5 Temperature dependence.- 3.6 Model parameter extraction.- 4 — Jfet Models.- 4.1 Introduction.- 4.2 DC Characteristics.- 4.3 Device symmetry.- 4.4 Voltage limiting.- 4.5 Charge storage.- 4.6 Temperature dependence.- 4.7 Model parameter extraction.- 5 — Mosfet Models.- 5.1 Introduction.- 5.2 Basic dc characteristics.- 5.3 Device dimensions.- 5.4 MOSFET parasitics.- 5.5 Common model parameters.- 5.6 Basic device model (level 1).- 5.7 Second order effects.- 5.8 Bulk doping term.- 5.9 Threshold voltage shift.- 5.10 Mobility reduction.- 5.11 Velocity saturation.- 5.12 Channel length modulation.- 5.13 Subthreshold conduction.- 5.14 Avalanche current.- 5.15 Oxide charging.- 5.16 Device symmetry.- 5.17 Voltage limiting.- 5.18 Geometry dependence.- 5.19 Level 2 model.- 5.20 Level 3 model.- 5.21 CSIM model.- 5.22 BSIM model.- 5.23 Table lookup models.- 5.24 Depletion devices.- 5.25 Model parameter extraction.- 5.26 Charge storage.- 5.27 Meyer capacitance model.- 5.28 Smoothed Meyer model.- 5.29 Charge non conservation problem.- 5.30 Charge based models.- 5.31 Ward-Dutton charge model.- 5.32 Yang-Chatter je e charge model.- 5.33 BSIM charge model.- 5.34 Second order effects on charges.- 5.35 Temperature dependence.- 5.36 Modeling for Analog Applications.- 5.37 Power MOSFETs.- 6 — Mesfet Models.- 6.1 Introduction.- 6.2 Device symmetry.- 6.3 DC characteristics.- 6.4 Subthreshold conduction.- 6.5 Charge storage.- 6.6 Charge basedmodel.- 6.7 Temperature dependence.- 6.8 Modeling for analog applications.- 6.9 Model parameter extraction.- References.