Thema dieses Buches sind elektrostatische Entladungseffekte (ESD) in integrierten Siliciumschaltkreisen, die sich zu einem wesentlichen Problem der modernen hochintegrierten Schaltungen mit Strukturbreiten in Sub-Mikrometer-Dimensionen entwickelt haben. Diese 2. Auflage des klassischen Handbuchs liefert einen kompletten berblick ber alle Aspekte des ESD und die unmittelbaren Folgerungen fr Entwurf und Entwicklung neuer Schaltkreise und Technologien. Die Hlfte des Materials wurde neu aufgenommen. das Autorenteam wurde um drei international anerkannte Experten erweitert.