L'objectif de cette these a ete l'etude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, elabores par la technique MOCVD. Les echantillons ont ete caracterises par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures electriques montrent que les couches dopees azote restent de type n meme apres avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont neanmoins observees par photoluminescence et Raman: l'incorporation de l'azote se traduit par la presence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observes par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons reussi a realiser des structures de diode ZnO: Sb/ZnO ayant les caracteristiques de jonction PN."