La magnetoresistance geante et le couplage d'echange dans des empilements de couches magnetiques / non-magnetiques, connaissent un interet particulier grace aux nombreuses applications potentielles dans le domaine de la microelectronique (capteurs magnetoresistifs, memoires non-volatiles, etc). La conduction des electrons dans les couches non-magnetiques est dependante du spin, c'est a dire de l'orientation relative des aimantations des electrodes magnetiques. Le plus simple systeme presentant de la magnetoresistance est le systeme spin-valve . Il s'agit de deux couches magnetiques (dure et douce), separees par une couche non-magnetique de decouplage. Dans notre cas la couche magnetique dure est constituee d'un systeme antiferromagnetique artificiel a base d'iridium qui presente l'avantage d'obtenir une rigidite magnetique importante et ajustable. L'originalite de ce travail provient essentiellement du choix des materiaux utilises et presente la possibilite d'integration de ce systeme dans un capteur magnetoresistif de type spin valve. Pour ce faire, ce travail analyse les proprietes magnetiques et de transport de ces systemes, en correlation avec leurs proprietes structurales."