Cantitate/Preț
Produs

Silicon Carbide: New Materials, Production Methods & Applications

Editat de Sofia H Vanger
en Limba Engleză Hardback – 9 aug 2011

Sub coordonarea editorului Sofia H Vanger, acest volum tehnic de la Nova Science Publishers Inc explorează frontierele ingineriei materialelor, concentrându-se pe carbura de siliciu (SiC). Suntem de părere că abordarea propusă este una riguros ancorată în realitatea industrială, analizând nu doar proprietățile deosebite care fac din SiC un candidat ideal pentru semiconductori și dispozitive MEMS — precum rezistența la uzură și duritatea extremă — ci și limitările sale critice, cum ar fi fragilitatea și prelucrabilitatea dificilă.

Pe linia practică a lucrării Silicon Carbide Nanostructures de Jiyang Fan, dar cu un focus mai pronunțat pe metodele de producție și aplicațiile metalurgice, volumul de față detaliază tehnici complexe precum formarea peliculelor subțiri prin gaze reactive și procesarea aliajelor de aluminiu ranforsate cu particule de SiC. Ne-a atras atenția structura logică a capitolelor, care ghidează cititorul de la microstructura nanofirelor la simulări computerizate ale proprietăților nanomecanice și efectele implantării ionice.

Considerăm că includerea unor subiecte de nișă, cum este conversia în fullerită cristalină, adaugă o valoare teoretică importantă pentru cercetători. Textul este echilibrat de date empirice prezentate sub formă de tabele și grafice, facilitând înțelegerea regimului ductil de îndepărtare a materialului. Este o resursă care nu evită să discute problemele practice întâlnite în procesarea în stare lichidă a compozitelor de tip Al-MMC, oferind soluții bazate pe cercetări topice actuale.

Citește tot Restrânge

Preț: 124623 lei

Preț vechi: 178551 lei
-30%

Puncte Express: 1869

Carte disponibilă

Livrare economică 09-23 mai


Specificații

ISBN-13: 9781611223125
ISBN-10: 1611223121
Pagini: 255
Ilustrații: b/w photos, tables & charts
Dimensiuni: 260 x 180 x 23 mm
Greutate: 0.71 kg
Ediția:New.
Editura: Nova Science Publishers Inc
Colecția Nova Science Publishers, Inc (US)
Locul publicării:United States

De ce să citești această carte

Recomandăm această carte inginerilor de materiale și specialiștilor în semiconductori care au nevoie de date concrete despre manipularea carburii de siliciu. Cititorul câștigă o înțelegere profundă a tehnicilor de gravare și a metodelor de fabricație prin comprimare, esențiale pentru depășirea barierelor de fragilitate ale materialului. Este un instrument de lucru precis pentru optimizarea proceselor de producție în industria optoelectronică și a nanotehnologiilor.


Descriere

Silicon Carbide (SiC) is well known for its excellent material properties, high durability, high wear resistance, light weight and extreme hardness. This combination of properties makes them ideal candidates for tribological, semiconductor and MEMs, and optoelectronic applications. However, SiC is also known for its low fracture toughness, extreme brittleness and poor machinability. This book presents topical research data in the study of silicon carbide, including the etching and thin film formation of silicon carbide using highly reactive gases; production and characterisation of SiC particles; microstructure of silicon carbide nanowires; ductile regime material removal of silicon carbide; limitation of SiC in the liquid-state processing of Al-MMC; and the effects of ion implantation in silicon carbide.

Cuprins

Preface; Etching &Thin Film Formation of Silicon Carbide Using Highly Reactive Gases; Silicon Carbide Particulate Reinforced Aluminum Alloys Matrix Composites Fabricated by Squeeze Casting Method; Microstructure of Silicon Carbide Nanowires; Ductile Regime Material Removal of Silicon Carbide (SiC); Computer Simulation on the Nanomechanical Properties of SiC Nanowires; Effects of Ion Implantation in Silicon Carbide; Recent Progress in the Preparation Technologies for Silicon Carbide Nanomaterials; Conversion of Silicon Carbide to Crystalline Fullerite; Index.