Cantitate/Preț
Produs

Silicon-Based High-Sensitivity Broadband Receiver

Autor Xiaojun Bi
en Limba Engleză Hardback – 20 mar 2024

În domeniul comunicațiilor și al centrelor de date, performanța infrastructurii depinde critic de eficiența componentelor de recepție. Silicon-Based High-Sensitivity Broadband Receiver abordează o provocare tehnică majoră: optimizarea receptoarelor pe bază de siliciu pentru a atinge o sensibilitate ridicată fără a sacrifica lățimea de bandă. Considerăm că această lucrare reprezintă o resursă esențială pentru inginerii RF și optoelectronici, oferind soluții concrete pentru depășirea limitărilor fizice ale siliciului în aplicații de înaltă frecvență.

Structura volumului reflectă o progresie logică, de la fundamentele teoretice și analiza limitărilor dispozitivelor în primele capitole, până la studii de caz avansate. Recomandăm atenției capitolele dedicate radiometrelor în banda W și arhitecturilor de receptoare optice de 25 GBaud, unde autorul Xiaojun Bi detaliază implementarea amplificatoarelor de transimpedanță (TIA) cu gamă dinamică extinsă. Ca și Carolien Hermans în Broadband Opto-Electrical Receivers in Standard CMOS, autorul distilează experiența reală în principii acționabile, însă Xiaojun Bi extinde analiza către sistemele de imagistică și securitate, nu doar către comunicațiile de date.

Poziționată strategic în continuarea cercetărilor sale anterioare din Design and Analysis of Multi-Band Filtering Circuits, această nouă lucrare a lui Xiaojun Bi rafinează metodele de analiză a circuitelor complexe. Diferența majoră față de titluri precum Highly Sensitive Optical Receivers de Kerstin Schneider constă în accentul pus pe integrarea radiometrelor și a receptorilor fotoelectrici pe același substrat de siliciu, oferind o perspectivă unificată asupra tehnologiilor de bandă largă. Validarea metodologiilor prin măsurători experimentale riguroase conferă textului un caracter pragmatic, transformându-l într-un ghid de referință pentru proiectarea sistemelor de ultimă generație.

Citește tot Restrânge

Preț: 90908 lei

Preț vechi: 110863 lei
-18%

Puncte Express: 1364

Carte disponibilă

Livrare economică 05-19 mai


Specificații

ISBN-13: 9789819708802
ISBN-10: 981970880X
Pagini: 179
Ilustrații: XIII, 179 p. 160 illus., 146 illus. in color.
Dimensiuni: 155 x 235 mm
Greutate: 0.45 kg
Ediția:2024
Editura: Springer Nature Singapore
Colecția Springer
Locul publicării:Singapore, Singapore

De ce să citești această carte

Recomandăm această carte inginerilor și cercetătorilor care proiectează hardware pentru centre de date și sisteme de comunicații 5G/6G. Cititorul câștigă o înțelegere profundă a tehnicilor de compensare a limitărilor siliciului, primind scheme concrete pentru radiometre și receptoare optice de mare viteză. Este un instrument tehnic indispensabil pentru optimizarea sensibilității în circuite integrate complexe.


Despre autor

Xiaojun Bi este un cercetător și autor specializat în inginerie electronică, cu un focus pronunțat pe designul circuitelor de radiofrecvență (RF) și optoelectronice. Expertiza sa acoperă o gamă largă de aplicații, de la circuite de filtrare multi-bandă necesare în sistemele radar moderne, până la concepte avansate de interacțiune computațională. Prin lucrarea de față, publicată la Springer în 2024, autorul își consolidează poziția de expert în dezvoltarea tehnologiilor pe bază de siliciu, aducând contribuții inovatoare în domeniul receptoarelor de înaltă sensibilitate pentru infrastructurile de telecomunicații globale.


Cuprins

Chapter 1 Background of High-Sensitivity Receiver.- Chapter 2 Silicon Device Limitations.- Chapter 3 High-Sensitivity Radiometer Architecture.- Chapter 4 High Sensitivity W-band Radiometer.- Chapter 5 Interstage Reflectionless Radiometer.- Chapter 6 A Dual-band Radiometer Utilizing a Distributed Active Hot- and Cold- load.- Chapter 7 High Sensitivity Optical Receiver Architecture.- Chapter 8 Ultra-Large Dynamic Range CMOS Transimpedance Amplifier.- Chapter 9 High Sensitivity and Dynamic-Range 25 GBaud Silicon Receiver.- Chapter 10 Summary and Conclusions

Notă biografică

Dr. Xiaojun Bi is a full professor at School of Integrated Circuits, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China. He received the B.S. and M.S. degrees from Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, China, in 2005 and 2007, respectively, and Ph.D. degree from the National University of Singapore (NUS), Singapore in 2013. 

From 2007 to 2008, he worked as a research associate in the Institute of Micro-electronics, Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, China. From 2009 to 2013, he was a research scholar with NUS and Institute of Micro-electronics (IME), Agency for Science, Technology and Research (A*STAR) engaged in silicon-based millimeter-wave ICs for THz imaging and Gb/s wireless communication. From 2013 to 2015, he was a research scientist with IME, A*STAR and worked on high-speed IC design. In Dec. 2014, he joined the School of Optical and Electronic Information/School of Integrated Circuits, HuazhongUniversity of Science and Technology, Wuhan, China, where he has been a full professor since Nov. 2020. 

His current research interests include IC design for high-speed communications and mmWave/THz imaging. More specifically, Dr. BI and his team have developed silicon-based wideband driver amplifier, transimpedance amplifier and multiplexer for 4×25 GB/56 GB/100 GB+ wireline communications, silicon-based W-band and V-band high-sensitivity receivers and hybrid modules for imaging and remote sensing including the world’s first single-pole double-throw distributed amplifier that achieves the lowest switching loss on silicon at W-band, silicon-based Q-band power amplifier and transmitter for high-speed wireless communications. 

Dr. Bi served as an associate editor for IEEE Access (2019-2022). He is a technical reviewer for Journal of Solid-State Circuits, IEEE Transactions on Circuits and Systems I, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, etc. 

Textul de pe ultima copertă

This book presents various design theories and methodologies for silicon-based high-sensitivity broadband receivers, including millimeter-wave radiometer chips and photoelectric receivers, which are core elements in imaging systems, data centers, and telecommunication infrastructures. As a key module in application systems, the high-sensitivity broadband receiver, not only attracts the attention of engineers and researchers in the radio-frequency and optoelectronic fields, but also garners significant interest from other disciplines, including optics, communications, and security. 
   
The book introduces various silicon-based critical design technologies aim to overcome the limitations inherent in silicon devices, distinctly enhancing sensitivity with a broad bandwidth. These innovative design methodologies, initially proposed and subsequently validated through meticulous measurements, represent a pioneering contribution. The book provides readers with detailed insights into design intricacies and considerations. Its audience includes undergraduate and graduate students with a specific interest in RF/optoelectronic receiver technology, along with researchers and engineers engaged in the study of imaging systems, data centers, or other communication applications.

Caracteristici

Presents a lot of self-developed novel circuit design technologies for high-sensitivity silicon-based radiometers Verifies high-sensitivity photoelectric receiver based on self-developed novel transimpedance amplifier and photodiode Provides valuable guidance for high-sensitivity millimeter radiometers and photoelectric receiver design