Planar Processing Primer
Autor G. Anneren Limba Engleză Paperback – 28 oct 2011
Preț: 631.08 lei
Preț vechi: 742.45 lei
-15%
Puncte Express: 947
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 20 august-03 septembrie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9789401066822
ISBN-10: 9401066825
Pagini: 652
Ilustrații: XIII, 634 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 34 mm
Greutate: 0.86 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1990
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9401066825
Pagini: 652
Ilustrații: XIII, 634 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 34 mm
Greutate: 0.86 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1990
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
1. Planar Processing and Basic Devices.- 2. Wafers.- 3. Wafer Measurements.- 4. Equilibrium Concepts.- 5. Oxidation.- 6. Diffusion: Predeposition.- 7. Diffusion; Redistribution.- 8. Ion Implantation.- 9. Chemical Vapor Deposition; Epitaxy.- 10. Etching.- 11. Lithography.- 12. Physical Vapor Deposition; Sputtering.- Appendix A. Four-Point-Probe Derivations; Optical Interference.- A.1 Semi-Infinite (S-I) Sample.- A.2 Thickness Correction for l-t Samples.- A.3 Logarithmic Potential Derivation for Thin Samples.- A.4 Optical Interference.- Appendix B. Ion/Field Interactions.- Appendix C. The Glow Discharge.- C.1 General Gas Discharge.- C.2 The Glow.- C.3 A-C/R-F Glow Discharge.- C.4 R-F Problems.- C.5 Modified Techniques.- Appendix D. Gas Systems.- D.1 Basic Concepts.- D.2 Conductance Calculations.- D.3 Gas Supply Systems.- D.4 Gas Distribution Systems.- D.5 Exhaust Pump Considerations.- F.5.4. Dry Oxidation Curves for (111) Silicon Showing the Effect of Oxidant Pressure.- F.5.5. Dry Oxidation Curves of (111) Silicon with Added Chlorides.- F.5.6. Wet Oxidation of (111) Silicon and Silicon Nitride.- F.5.7. MBASIC Program for Oxidation of Silicon at Atmospheric Pressure.- F.6.1. Diffusion Data.- F.6.2. Error Function Properties.- F.6.3. Error Function Table.- F.6.5. Irvin Sheet Resistance Curves.- F.6.6. Oxide Masking Curves for Boron Predep.- F.6.7. Oxide Masking Curves for Phosphorus Predep.- F.6.8. Vapor Pressure Curves of Liquid Predep Sources.- F.6.10 Boron Nitride Predep Curves.- F.8.1. Ion Implantation: Effective Range Data.- Appendix G. Numerical Constants.- Appendix H. Furnace Construction.