Cantitate/Preț
Produs

Physik der Halbleiterbauelemente

Autor Simon M. Sze, Yiming Li, Kwok K. Ng Traducere de Jürgen Smoliner
de Limba Germană Hardback – 6 oct 2021

Observăm că acest volum, Physik der Halbleiterbauelemente, este esențial pentru pregătirea examenelor avansate de fizica solidului și pentru acreditările profesionale în ingineria microelectronicii, fiind versiunea în limba germană a celei mai riguroase referințe globale în domeniu. Structura cărții este organizată progresiv, începând cu bazele fizicii semiconductorilor — de la structuri cristaline la nanostructuri — și continuând cu analiza detaliată a joncțiunilor p-n și a contactelor metal-semiconductor. Considerăm că forța acestui tratat rezidă în capacitatea de a sintetiza funcționarea dispozitivelor bipolare și unipolare prin prisma ecuațiilor fundamentale de transport al purtătorilor de sarcină. Față de Halbleiter und Phosphore de Michael Schön, care oferă o perspectivă istorică asupra colocviilor de fizică din anii '50, volumul de față extinde cadrul teoretic cu date moderne despre heterojoncțiuni și componente de microunde. Dacă Halbleiter-Schaltungstechnik de Ulrich Tietze se concentrează pe designul circuitelor, lucrarea lui Simon M. Sze oferă fundamentul fizic fără de care acele circuite nu ar putea fi proiectate. Această ediție rafinează temele abordate în Physics of Semiconductor Devices, adaptând terminologia tehnică pentru mediul academic de limbă germană și integrând 600 de figuri care clarifică distribuția benzilor de energie și caracteristicile curent-tensiune.

Citește tot Restrânge

Preț: 76936 lei

Preț vechi: 86446 lei
-11%

Puncte Express: 1154

Carte disponibilă

Livrare economică 23-29 mai
Livrare express 13-19 mai pentru 8119 lei


Specificații

ISBN-13: 9783527413898
ISBN-10: 3527413898
Pagini: 890
Ilustrații: 600 schwarz-weiße Abbildungen
Dimensiuni: 223 x 281 x 48 mm
Greutate: 2.74 kg
Editura: Wiley-VCH GmbH
Locul publicării:Weinheim, Germany

De ce să citești această carte

Recomandăm această carte studenților și inginerilor care au nevoie de o înțelegere matematică și fizică profundă a componentelor electronice. Cititorul câștigă acces la metodologia de calcul a barierei Schottky și a capacității MOS, elemente critice pentru proiectarea dispozitivelor moderne. Este o investiție pe termen lung în biblioteca oricărui specialist în semiconductori, oferind rigoarea necesară pentru cercetare și dezvoltare industrială.


Despre autor

Simon M. Sze este un pionier în domeniul semiconductorilor, cunoscut la nivel mondial pentru contribuțiile sale teoretice și practice. Co-autorul Gary S. May este profesor de microelectronică la Georgia Institute of Technology și a fost recunoscut ca „Giant of Science” în 2001, având o carieră marcată de premii de la National Science Foundation. Experiența vastă a autorilor în cercetarea fundamentală și în mediul academic american transformă acest volum într-o resursă autoritară, adaptată de traducătorul Jürgen Smoliner pentru contextul universitar german.


Notă biografică

Simon M. Sze ist Lehrstuhlinhaber an der National Chiao Tung University, Taiwan. Er hat bahnbrechende Beiträge zur Entwicklung von Halbleiterbauelementen geleistet, besonders hervorzuheben ist seine Ko-Erfindung nichtflüchtiger Halbleiterspeicher wie Flash-Speicher und EEPROMs. Sein Buch "Physik der Halbleiterbauelemente" (im Original: "Physics of Semiconductor Devices") ist eines der einflussreichsten und meistzitierten Werke in den Ingenieurwissenschaften. Yiming Li ist Professor an der National Chiao Tung University, Taiwan. In der Abteilung für Elektro- und Computertechnik forscht er zu computerorientierter Elektronik, Bauteilphysik, Halbleiternanostrukturen sowie der Modellierung und Simulation von Schaltkreisen. Kwok K. Ng ist Senior Director bei der Semiconductor Research Corporation im Research Triangle Park, North Carolina, USA. Zuvor hat er langjährig in Führungspositionen bei Agere Systems, Lucent Technologies, MVC und den Bell-Laboratorien von AT&T gearbeitet.

Cuprins

TEIL I HALBLEITERPHYSIK 1 PHYSIK UND EIGENSCHAFTEN VON HALBLEITERN - EIN ÜBERBLICK 1.1 Einführung 1.2 Kristallstruktur 1.3 Energiebänder und Energielücke 1.4 Trägerkonzentration im Wärmeausgleich 1.5 Phänomene des Ladungsträgertransports 1.6 Phononische, optische und thermische Eigenschaften 1.7 Heteroübergänge und Nanostrukturen 1.8 Grundgleichungen und Beispiele TEIL II BAUELEMENTE 2 P-N-ÜBERGÄNGE 2.1 Einführung 2.2 Erschöpfungsbereich 2.3 Strom-Spannungs-Kennlinien 2.4 Ausfall der Verbindungsstelle 2.5 Transientes Verhalten und Rauschen 2.6 Klemmenfunktionen 2.7 Heteroübergänge 3 METALL-HALBLEITER-KONTAKTE 3.1 Einführung 3.2 Bildung der Barriere 3.3 Aktuelle Transportprozesse 3.4 Messung der Barrierenhöhe 3.5 Vorrichtungsstrukturen 3.6 Ohmscher Kontakt 4 METALL-ISOLATOR-HALBLEITER-KONDENSATOREN 4.1 Einführung 4.2 Idealer MIS-Kondensator 4.3 Silizium-MOS-Kondensator TEIL III TRANSISTOREN 5 BIPOLARE TRANSISTOREN 5.1 Einführung 5.2 Statische Eigenschaften 5.3 Mikrowellencharakteristik 5.4 Verwandte Vorrichtungsstrukturen 5.5 Heteroübergangs-Bipolartransistor 6 MOSFETs 6.1 Einführung 6.2 Grundlegende Geräteeigenschaften 6.3 Ungleichförmiges Dotierungs- und Buried-Channel-Bauelement 6.4 Geräteskalierung und Kurzkanal-Effekte 6.5 MOSFET-Strukturen 6.6 Schaltungsanwendungen 6.7 Nichtflüchtige Speichergeräte 6.8 Einzelelektronen-Transistor 7 JFETs, MESFETs UND MODFETs 7.1 Einführung 7.2 JFET und MESFET 7.3 MODFET TEIL IV BAUELEMENTE MIT NEGATIVEM DIFFERENTIELLEN WIDERSTAND UND LEISTUNGSBAUELEMENTE 8 TUNNELBAUELEMENTE 8.1 Einführung 8.2 Tunneldiode 8.3 Zugehörige Tunnelbauelemente 8.4 Resonanztunneldiode 9 IMPATT-DIODEN 9.1 Einführung 9.2 Statische Eigenschaften 9.3 Dynamische Eigenschaften 9.4 Leistung und Effizienz 9.5 Rauschverhalten 9.6 Gerätedesign und -leistung 9.7 BARITT-Diode 9.8 TUNNETT-Diode 10 ELEKTRONEN-ÜBERTRAGUNGS - UND DIREKTRAUM-ÜBERTRAGUNGS-BAUELEMENTE 10.1 Einführung 10.2 Elektronen-Übertragung-Bauelemente 10.3 Direktraum-Übertragungs-Bauelemente 11 THYRISTOREN UND LEISTUNGSBAUELEMENTE 11.1 Einführung 11.2 Thyristorkennlinien 11.3 Thyristorvarianten 11.4 Andere Stromversorgungsgeräte TEIL V PHOTONISCHE BAUELEMENTE UND SENSOREN 12 LEDs UND LASER 12.1 Einführung 12.2 Strahlungsübergänge 12.3 Leuchtdiode (LED) 12.4 Laserphysik 12.5 Betriebsmerkmale des Lasers 12.6 Speziallaser 13 PHOTODETEKTOREN UND SOLARZELLEN 13.1 Einführung 13.2 Fotoleiter 13.3 Fotodioden 13.4 Lawinenphotodiode 13.5 Fototransistor 13.6 Ladungsgekoppelte Vorrichtung (CCD) 13.7 Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektor 13.8 Quantenwellen-Infrarot-Photodetektor 13.9 Solarzelle 14 SENSOREN 14.1 Einführung 14.2 Thermosensoren 14.3 Mechanische Sensoren 14.4 Magnetische Sensoren 14.5 Chemische Sensoren ANHÄNGE A. Liste der Symbole B. Internationales Einheitensystem C. Einheiten-Präfixe D. Griechisches Alphabet E. Physikalische Konstanten F. Eigenschaften wichtiger Halbleiter G. Eigenschaften von Si und GaAs H. Eigenschaften von SiO und Si3N