Physik der Halbleiterbauelemente
Autor Simon M. Sze, Yiming Li, Kwok K. Ng Traducere de Jürgen Smolinerde Limba Germană Hardback – 6 oct 2021
Observăm că acest volum, Physik der Halbleiterbauelemente, este esențial pentru pregătirea examenelor avansate de fizica solidului și pentru acreditările profesionale în ingineria microelectronicii, fiind versiunea în limba germană a celei mai riguroase referințe globale în domeniu. Structura cărții este organizată progresiv, începând cu bazele fizicii semiconductorilor — de la structuri cristaline la nanostructuri — și continuând cu analiza detaliată a joncțiunilor p-n și a contactelor metal-semiconductor. Considerăm că forța acestui tratat rezidă în capacitatea de a sintetiza funcționarea dispozitivelor bipolare și unipolare prin prisma ecuațiilor fundamentale de transport al purtătorilor de sarcină. Față de Halbleiter und Phosphore de Michael Schön, care oferă o perspectivă istorică asupra colocviilor de fizică din anii '50, volumul de față extinde cadrul teoretic cu date moderne despre heterojoncțiuni și componente de microunde. Dacă Halbleiter-Schaltungstechnik de Ulrich Tietze se concentrează pe designul circuitelor, lucrarea lui Simon M. Sze oferă fundamentul fizic fără de care acele circuite nu ar putea fi proiectate. Această ediție rafinează temele abordate în Physics of Semiconductor Devices, adaptând terminologia tehnică pentru mediul academic de limbă germană și integrând 600 de figuri care clarifică distribuția benzilor de energie și caracteristicile curent-tensiune.
Preț: 769.36 lei
Preț vechi: 864.46 lei
-11%
Carte disponibilă
Livrare economică 23-29 mai
Livrare express 13-19 mai pentru 81.19 lei
Specificații
ISBN-10: 3527413898
Pagini: 890
Ilustrații: 600 schwarz-weiße Abbildungen
Dimensiuni: 223 x 281 x 48 mm
Greutate: 2.74 kg
Editura: Wiley-VCH GmbH
Locul publicării:Weinheim, Germany
De ce să citești această carte
Recomandăm această carte studenților și inginerilor care au nevoie de o înțelegere matematică și fizică profundă a componentelor electronice. Cititorul câștigă acces la metodologia de calcul a barierei Schottky și a capacității MOS, elemente critice pentru proiectarea dispozitivelor moderne. Este o investiție pe termen lung în biblioteca oricărui specialist în semiconductori, oferind rigoarea necesară pentru cercetare și dezvoltare industrială.
Despre autor
Simon M. Sze este un pionier în domeniul semiconductorilor, cunoscut la nivel mondial pentru contribuțiile sale teoretice și practice. Co-autorul Gary S. May este profesor de microelectronică la Georgia Institute of Technology și a fost recunoscut ca „Giant of Science” în 2001, având o carieră marcată de premii de la National Science Foundation. Experiența vastă a autorilor în cercetarea fundamentală și în mediul academic american transformă acest volum într-o resursă autoritară, adaptată de traducătorul Jürgen Smoliner pentru contextul universitar german.