Materials and Physics for Nonvolatile Memories
Editat de Yoshihisa Fujisaki, Rainer Waser, Tingkai Lien Limba Engleză Paperback – 23 iul 2012
Preț: 241.33 lei
Puncte Express: 362
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 25 septembrie-09 octombrie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit de la 400.00 lei Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9781107408296
ISBN-10: 1107408296
Pagini: 216
Dimensiuni: 152 x 229 x 12 mm
Greutate: 0.32 kg
Editura: Cambridge University Press
Locul publicării:New York, United States
ISBN-10: 1107408296
Pagini: 216
Dimensiuni: 152 x 229 x 12 mm
Greutate: 0.32 kg
Editura: Cambridge University Press
Locul publicării:New York, United States
Cuprins
Part I. Advanced Flash I; Part II. Charge Trap Memory I; Part III. Magnetic Resistive RAM; Part IV. Poster Session: Advanced Flash II; Part V. Poster Session: Charge Trap II and MRAM; Part VI. Ferroelectric Memory; Part VII. Resistive Switching RAM I; Part VIII. Resistive Switching RAM II; Part IX. Poster Session: Resistive Switching RAM III; Part X. Poster Session: Phase Change RAM I; Part XI. Phase Change RAM II; Part XII. Phase Change RAM III; Author index; Subject index.
Descriere
The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners.