Ionenimplantation
Autor Heiner Ryssel, Ingolf Rugede Limba Germană Paperback – iun 1978
Preț: 475.95 lei
Puncte Express: 714
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 16-30 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9783519032069
ISBN-10: 3519032066
Pagini: 368
Ilustrații: 366 S. 369 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 19 mm
Greutate: 0.59 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1978
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Locul publicării:Wiesbaden, Germany
ISBN-10: 3519032066
Pagini: 368
Ilustrații: 366 S. 369 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 19 mm
Greutate: 0.59 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1978
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Locul publicării:Wiesbaden, Germany
Public țintă
Professional/practitionerCuprins
1 Einleitung.- 1.1 Eigenschaften und Möglichkeiten der Ionenimplantation.- 1.2 Historischer Rückblick.- 2 Grundlagen der Ionenimplantation.- 2.1 Reichweite von Ionen in Festkörpern.- 2.2 Strahlenschäden in Festkörpern.- 2.3 Der Channeling-Effekt.- 3 Probleme bei der Implantation in reale Festkörper.- 3.1 Wirkung und Ausheilen von Strahlenschäden.- 3.2 Elektrische Aktivierung implantierter Ionen.- 3.3 Reichweiteverteilung in Zweischichtstrukturen.- 3.4 Maskierungsschichten.- 3.5 Laterale Streuung.- 3.6 Passivierungsschichten.- 3.7 lonenzerstäubung während der Implantation.- 3.8 Diffusion.- 3.9 Probenerwärmung.- 4 Ionenimplantationsapparaturen.- 4.1 Ionenquellen.- 4.2 Beschleunigung und Fokussierung.- 4.3 Strahlanalyse.- 4.4 Strahlablenkung und Homogenität.- 4.5 Probenkammer.- 4.6 Vakuum.- 5 Meßmethoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten.- 5.1 Anätzen von pn-Übergängen.- 5.2 Bestimmung des Leitungstyps.- 5.3 Kapazität-Spannung-Messung.- 5.4 Schichtwiderstandsmessungen.- 5.5 Halleffektmessungen.- 5.6 Messung des Ausbreitungswiderstandes.- 5.7 Strom-Spannung-Messung.- 5.8 Analyse implantierter Schichten mit energiereichen, leichten Ionen.- 5.9 Aktivierungsanalyse.- 6 Eigenschaften ionenimplantierter Halbleiterschichten.- 6.1 Implantation in Silicium.- 6.2 Implantation in Germanium.- 6.3 III-V-Halbleiter.- 6.4 Implantation in II-VI- und IV-VI-Halbleiter.- 6.5 Siliciumkarbid.- 7 Bauelemente.- 7.1 MOS-Bauelemente.- 7.2 Widerstände.- 7.3 Dioden.- 7.4 Bipolare Transistoren.- 7.5 Feldeffekttransistoren.- 7.6 Verschiedene Halbleiterbauelemente.- 8 Implantation in Nichthalbleiter.- 8.1 Implantation in Metalle.- 8.2 Implantation in optische Materialien.- 8.3 Weitere Anwendungen der Implantation auf Nichthalbleiter..- 9 Anhang.- 9.1 Daten von Halbleiternund Isolatoren.- 9.2 Diffusionskoeffizienten.- 9.3 Löslichkeiten von Elementen in Silicium und Germanium.- 9.4 Reichweitetabellen.- 9.5 Häufigkeit der Isotope.- 9.6 Dampfdruck.- 9.7 Fehlerfunktion.- 10 Literatur.- Bücher und Übersichtsartikel.- Bibliographien.- Konferenzberichte.- Fachartikel.