L'holographie electronique "off-axis" est une technique de MET sensible a la densite locale de porteurs, elle permet facilement une cartographie 2D du potentiel electrostatique et, par son large champ de vue, une analyse des profils de dopants actifs, directement utilisable pour le calibrage des outils de simulation des procedes. Les travaux de cette these ont pour objet, d'une part l'etablissement de protocoles de preparation des echantillons, d'acquisition des donnees en holographie electronique, et d'autre part la comparaison entre les resultats de la mesure et ceux de la simulation numerique des procedes de fabrication de la microelectronique. L'etude porte sur l'implantation d'Arsenic dans le canal de transistors 'nMOS', issus d'une technologie sur film mince (10 a 50nm). Cet ouvrage explore les capacites et les limites de l'holographie electronique a travers l'analyse d'echantillons de complexite croissante: depuis une image dans le vide a un transistor de derniere generation. Chaque etape est appuyee par une confrontation aux modeles mathematiques existants, et a la simulation numerique."