Cantitate/Preț
Produs
Total produse
Vezi coșul
Halbleiter-Leistungsbauelemente de Josef Lutz

Halbleiter-Leistungsbauelemente

Autor Josef Lutz
de Limba Germană Hardback – 7 noi 2012
Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren,  MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden  leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.
Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.
Citește tot Restrânge

Preț: 81827 lei

Preț vechi: 99789 lei
-18%

Puncte Express: 1227

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 01-15 decembrie

Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
 Adaugă în coș

Wish list
Gift list
Am citit!
Adaugă în listă

Specificații

ISBN-13: 9783642297953
ISBN-10: 3642297951
Pagini: 404
Ilustrații: XXII, 383 S. 298 Abb.
Dimensiuni: 173 x 246 x 28 mm
Greutate: 0.79 kg
Ediția:2. Auflage 2012
Editura: Springer
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany

Public țintă

Professional/practitioner

Cuprins

Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente Grundlagen.- Halbleiterbauelemente.- Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen.- Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen.- Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen.- Leistungselektronische Systeme.- Sachwortregister.

Notă biografică

Josef Lutz studied Physics at the University of Stuttgart. He invented the Controlled Axial Lifetime (CAL) diode and holds several patents. In 1999 he graduated as Ph.D in electrical engineering at the University of Ilmenau. Since August 2001 he is a Professor for Power Electronics and Electromagnetic Compatibility at TU Chemnitz, Germany. He is the consulting Director of the PCIM, member of four international Program Committees and member of the Editorial Advisory Board of Microelectronics Reliability. He was awarded with the degree of Honorable Professor by the North Caucasus State University Stavropol, Russia, in 2005. Heinrich Schlangenotto received the Ph.D. degree in theoretical physics at the University of Münster. In 1966 he joined the Research Institute of AEG-Telefunken in Frankfurt which in 1988 passes to Daimler-Benz. Working on the physics underlying the operation modes of semiconductor power devices, he improved the description of forward conduction based on a new insight in the spatial distribution of recombination. Investigating the injection and temperature dependence of radiative recombination, which is used in analysing device operation, he finds an important participation of excitons even near room temperature. To improve the dynamic behaviour of rectifier diodes he invented the fast, soft recovery SPEED-diode. He gave the first quantitative description of the dynamical avalanche mechanism limiting fast switching. From 1991 to 2001 he held a lecture on power devices at the TU Darmstadt, Germany. Uwe Scheuermann joined Semikron in Nuremberg, Germany, after completing his Ph.D. in semiconductor physics in 1990. After spending 5 years with the development of diode and thyristor chips, he changed his focus to the development of power modules. He has been involved in the development of the advanced power module families without base plates and the implementation of new packaging concepts likespring contacts. He has published more than 50 papers and holds several patents in the field of packaging technology. Today, he is at Semikron responsible for the reliability of components. He is a member of the board of directors of the PCIM Europe and of the program committee of the CIPS. In 2014 he was appointed as honorary professor for electrical engineering at the Friedrich-Alexander-University of Erlangen, where he lectured since 2006. Rik De Doncker received his degree of Doctor in Electrical Engineering from the Katholieke Universiteit Leuven, Belgium in 1986. During 1987 he was appointed Visiting Associate Professor at the University of Wisconsin, Madison. In 1988, he was employed as a General Electric Company fellow at the microelectronic center IMEC, Leuven, Belgium. In Dec. 1988, he joined the General Electric Company at the Corporate Research and Development Center, Schenectady, NY where he led research on drives and high power soft-switching converters, ranging from 100 kW to 4 MW, for aerospace, industrial and traction applications. In 1994 he joined Silicon Power Corporation (formerly GE-SPCO) as Vice President Technology where he worked on high power converter systems and MTO devices and was responsible for the development and production of world's first 15 kV medium voltage transfer switch. Since Oct. 1996 he became professor at the RWTH-Aachen, where he leads the Institut für Stromrichtertechnik und Elektrische Antriebe (ISEA).

Textul de pe ultima copertă

Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren,  MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden  leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.
Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.

Caracteristici

Praxisbezogene Behandlung der Bauelemente der Leistungselektronik Hilft bei der Analyse der Fehlerursachen Aktualisiert auf den neuesten Stand der Technik Includes supplementary material: sn.pub/extras Includes supplementary material: sn.pub/extras