Les hetero-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au desaccord de maille entre les deux materiaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins evident malgre le desaccord de maille; une transition plastique apparait aux depends de la transition elastique 3D. Cependant, par un procede de croissance, qui consiste a recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est du au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une energie de surface plus importante et donc un cout en energie de surface des facettes d'ilots 3D plus petit. Ceci peut etre decrit par des calculs de type ab-initio qui consiste a calculer les energies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd."