Ce travail de these est axe autour de l'etude des mecanismes d'injection et de recombinaisons radiatives et non radiatives dans les DELs a base de nitrures d'elements III. Les differentes briques constituant leur structure ont ete etudiees. Apres un premier chapitre d'introduction rappelant quelques-unes des principales caracteristiques et proprietes physiques des alliages (Al, Ga, In)N, le deuxieme chapitre est consacre a l'etude des dopages de type n et de type p. Des etudes couplees electriques/optiques ont ete realisees afin d'identifier la profondeur energetique des niveaux associes aux impuretes dopantes et leur influence sur l'efficacite radiative des DELs. L'etude des contacts metal-SC fait l'objet du troisieme chapitre. Les mecanismes de recombinaisons de l'alliage (Ga, In)N, zone active des DELs, sont traites dans le quatrieme chapitre par le biais de spectrometrie optique UV-visible en fonction de differents parametres. Finalement, une etude des proprietes opto-electroniques des DELs est realisee dans la derniere partie. Des hypotheses sur les mecanismes d'electroluminescence sont reportees avec, notamment, la mise en evidence d'un effet tunnel diagonal radiatif."