Dans ce memoire de these, nous proposons une methodologie de modelisation electrique prenant en compte les effets de la temperature sur les phenomenes localises qui initient une defaillance souvent fatale. En prevision de la simulation electrothermique couplee impliquant des transistors MOS de puissance, un modele electrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a ete developpe. Une attention particuliere a ete accordee a l'etude des phenomenes parasites qui pourraient survenir de maniere tres localisee suite a une repartition inhomogene de la temperature et a l'apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le declenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont ete modelises. Des bancs specifiques pour la validation du modele pour les regimes extremes ont ete utilises en prenant des precautions liees a la haute temperature. Enfin, Le modele electrique thermosensible complet developpe a ete utilise par la societe Epsilon ingenierie pour faire des simulations electrothermiques du MOS de puissance en mode d'avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D."