Atomic Layer Epitaxy
Autor T. Suntola, M. Simpsonen Limba Engleză Paperback – 20 sep 2011
Preț: 613.26 lei
Preț vechi: 721.49 lei
-15%
Puncte Express: 920
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 16-30 iulie
Livrare prin curier în România Termenul estimat este afișat lângă disponibilitate.
Transport gratuit pentru acest produs Plată online sau ramburs, în funcție de opțiunile comenzii.
Retur gratuit în 14 zile Comandă securizată și suport în română.
Specificații
ISBN-13: 9789401066617
ISBN-10: 9401066612
Pagini: 196
Ilustrații: 280 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 11 mm
Greutate: 0.29 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1990
Editura: Springer
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9401066612
Pagini: 196
Ilustrații: 280 p.
Dimensiuni: 152 x 229 x 11 mm
Greutate: 0.29 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1990
Editura: Springer
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
1 Chemical aspects of the Atomic Layer Epitaxy (ALE) process.- 1.1 Introduction.- 1.2 Requirements for ALE growth.- 1.3 Source materials used in ALE.- 1.4 Doping of thin films.- 1.5 Growth of thin films.- 1.6 Concluding remarks and outlook 36.- References.- 2 Theoretical aspects of ALE growth mechanisms.- 2.1 Introduction.- 2.2 Theoretical methods.- 2.3 ALE systems.- 2.4 Conclusions 60.- References.- 3 Comparison of ALE with other techniques.- 3.1 Inroduction.- 3.2 MOVPE.- 3.3 Molecular beam epitaxy.- 3.4 Hybrid areas.- 3.5 Comparison of MOVPE, MBE and ALE.- References.- 4 ALE of III-V compounds HO.- 4.1 Introduction.- 4.2 Self-limiting mechanism.- 4.3 Experimental approaches for ALE of III-V compounds.- 4.4 Review of experimental results.- 4.5 Potential applications of ALE.- 4.6 Conclusion 152.- References.- 5 ALE of II-VI compounds.- 5.1 Introduction.- 5.2 ALE.- 5.3 Reflection high energy electron diffraction (RHEED) observation.- 5.4 Characterisation of ALE-grown Zn chalcogenide layers.- 5.5 Summary 177.- References.