L'amelioration permanente des transistors a effet de champ, en terme de frequence, puissance ou rendement, a conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a vides dans les amplificateurs hyperfrequence. Une methode de caracterisation specifiques en statique et en hyperfrequence petit signal des transistors a effet de champ millimetriques en vue d'une utilisation en puissance est presentee. Des analyses sont effectuees afin de determiner les principales limitations de ces composants associes a des propositions d'ameliorations. L'etude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du developpement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un systeme automatise de mesures grand signal dans la bande Ka a l'aide d'un banc a charge active permettant d'avoir acces a toutes les grandeurs caracteristiques est developpe. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amelioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modeles non lineaires utilises pour la conception de circuits hybrides et monolithiques."