L''anodisation lectrochimique du Si monocristallin est apparue comme une technique efficace permettant la nanostructuration du Si temprature et atmosphre ambiantes. En particulier, elle permet de fabriquer les nanostructures de Si poreux. Cependant, les interconnexions qui existent entre les nano-particules constituant les couches poreuses empchent le confinement complet de porteurs de charges. Durant cette thse deux nouvelles approches de fabrication des nanoparticules de Si latralement spares ont t mises au point en utilisant la gravure lectrochimique. La premire approche est base sur la gravure impulsionelle de Si en rgime transitoire. La deuxime approche est base sur le broyage mcanique des nanostructures de Si poreux. L''analyse dimensionnelle et morphologique des nanoparticules ralises a t effectue par AFM et TEM. L''tude de la fluorescence temprature ambiante de nanoparticules de Si dilues dans divers solvants a t effectu. Les proprits optiques des nanoparticules ont t tudies en fonction de leurs concentration, composition chimique et tat cristallin. Quelques perspectives d''applications ont t soulignes.