Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors de D. Nirmal

Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering

Editat de D. Nirmal, J. Ajayan

en Limba Engleză Hardback – 24 dec 2024

Din seria Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering

19%

Preț: 592^.40 lei
20%

Preț: 999^.87 lei
24%

Preț: 901^.29 lei
20%

Preț: 1068^.41 lei
18%

Preț: 866^.59 lei
18%

Preț: 967^.45 lei
18%

Preț: 855^.99 lei
18%

Preț: 968^.22 lei
5%

Preț: 1247^.31 lei
20%

Preț: 728^.96 lei
18%

Preț: 853^.71 lei
18%

Preț: 1062^.99 lei
18%

Preț: 745^.61 lei
24%

Preț: 897^.51 lei
18%

Preț: 911^.05 lei
Preț: 333^.88 lei
18%

Preț: 755^.44 lei
18%

Preț: 855^.38 lei
15%

Preț: 561^.92 lei
20%

Preț: 1116^.53 lei
24%

Preț: 976^.43 lei
18%

Preț: 1173^.37 lei
18%

Preț: 748^.32 lei

Preț: 1071^.93 lei

Preț vechi: 1307^.22 lei
-18% Nou

Puncte Express: 1608

:
189^.65€ • 220^.95$ • 165^.62£

Carte disponibilă

Livrare economică 29 decembrie 25 - 12 ianuarie 26

Adaugă în coș

Wish list
Gift list
Am citit!

Adaugă în listă

Preluare comenzi: 021 569.72.76

Specificații

ISBN-13: 9789819775057
ISBN-10: 9819775051
Pagini: 276
Dimensiuni: 160 x 241 x 20 mm
Greutate: 0.63 kg
Ediția:2024 edition
Editura: Springer
Seria Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering